সিলিকন

উইকিপিডিয়া, মুক্ত বিশ্বকোষ থেকে
Jump to navigation Jump to search
সিলিকন   ১৪Si
SiliconCroda.jpg
Silicon Spectra.jpg
Spectral lines of Silicon
সাধারণ বৈশিষ্ট
নাম, প্রতীকসিলিকন, Si
উচ্চারণ/ˈsɪlkən/ SIL-ə-kən or /ˈsɪlkɒn/ SIL-ə-kon
উপস্থিতিcrystalline, reflective with bluish-tinged faces
পর্যায় সারণীতে সিলিকন
হাইড্রোজেন (other non-metal)
হিলিয়াম (noble gas)
লিথিয়াম (alkali metal)
বেরিলিয়াম (alkaline earth metal)
বোরন (metalloid)
কার্বন (other non-metal)
নাইট্রোজেন (other non-metal)
অক্সিজেন (other non-metal)
ফ্লোরিন (halogen)
নিয়ন (noble gas)
সোডিয়াম (alkali metal)
ম্যাগনেসিয়াম (alkaline earth metal)
অ্যালুমিনিয়াম (post-transition metal)
সিলিকন (metalloid)
ফসফরাস (other non-metal)
সালফার (other non-metal)
ক্লোরিন (halogen)
আর্গন (noble gas)
পটাশিয়াম (alkali metal)
ক্যালসিয়াম (alkaline earth metal)
স্ক্যানডিয়াম (transition metal)
টাইটানিয়াম (transition metal)
ভ্যানাডিয়াম (transition metal)
ক্রোমিয়াম (transition metal)
ম্যাঙ্গানিজ (transition metal)
লোহা (transition metal)
কোবাল্ট (transition metal)
নিকেল (transition metal)
তামা (transition metal)
দস্তা (transition metal)
গ্যালিয়াম (post-transition metal)
জার্মেনিয়াম (metalloid)
আর্সেনিক (metalloid)
সেলেনিয়াম (other non-metal)
ব্রোমিন (halogen)
ক্রিপ্টন (noble gas)
রুবিডিয়াম (alkali metal)
স্ট্রনসিয়াম (alkaline earth metal)
ইটরিয়াম (transition metal)
জিরকোনিয়াম (transition metal)
নাইওবিয়াম (transition metal)
মলিবডিনাম (transition metal)
টেকনিসিয়াম (transition metal)
রুথেনিয়াম (transition metal)
রোহডিয়াম (transition metal)
প্যালাডিয়াম (transition metal)
রুপা (transition metal)
ক্যাডমিয়াম (transition metal)
ইন্ডিয়াম (post-transition metal)
টিন (post-transition metal)
অ্যান্টিমনি (metalloid)
টেলুরিয়াম (metalloid)
আয়োডিন (halogen)
জেনন (noble gas)
সিজিয়াম (alkali metal)
বেরিয়াম (alkaline earth metal)
ল্যান্থানাম (lanthanoid)
সিরিয়াম (lanthanoid)
প্রাসিওডিমিয়াম (lanthanoid)
নিওডিমিয়াম (lanthanoid)
প্রমিথিয়াম (lanthanoid)
সামারিয়াম (lanthanoid)
ইউরোপিয়াম (lanthanoid)
গ্যাডোলিনিয়াম (lanthanoid)
টারবিয়াম (lanthanoid)
ডিসপ্রোসিয়াম (lanthanoid)
হলমিয়াম (lanthanoid)
এরবিয়াম (lanthanoid)
থুলিয়াম (lanthanoid)
ইটারবিয়াম (lanthanoid)
লুটেসিয়াম (lanthanoid)
হ্যাফনিয়াম (transition metal)
ট্যানটালাম (transition metal)
টাংস্টেন (transition metal)
রিনিয়াম (transition metal)
অসমিয়াম (transition metal)
ইরিডিয়াম (transition metal)
প্লাটিনাম (transition metal)
সোনা (transition metal)
পারদ (transition metal)
থ্যালিয়াম (post-transition metal)
সীসা (post-transition metal)
বিসমাথ (post-transition metal)
পোলোনিয়াম (post-transition metal)
এস্টাটিন (halogen)
রেডন (noble gas)
ফ্রান্সিয়াম (alkali metal)
রেডিয়াম (alkaline earth metal)
অ্যাক্টিনিয়াম (actinoid)
থোরিয়াম (actinoid)
প্রোটেক্টিনিয়াম (actinoid)
ইউরেনিয়াম (actinoid)
নেপচুনিয়াম (actinoid)
প্লুটোনিয়াম (actinoid)
অ্যামেরিসিয়াম (actinoid)
কুরিয়াম (actinoid)
বার্কেলিয়াম (actinoid)
ক্যালিফোর্নিয়াম (actinoid)
আইনস্টাইনিয়াম (actinoid)
ফার্মিয়াম (actinoid)
মেন্ডেলেভিয়াম (actinoid)
নোবেলিয়াম (actinoid)
লরেনসিয়াম (actinoid)
রাদারফোর্ডিয়াম (transition metal)
ডুবনিয়াম (transition metal)
সিবোরজিয়াম (transition metal)
বোহরিয়াম (transition metal)
হ্যাসিয়াম (transition metal)
মিটনেরিয়াম (unknown chemical properties)
ডার্মস্টেটিয়াম (unknown chemical properties)
রন্টজেনিয়াম (unknown chemical properties)
কোপার্নিসিয়াম (transition metal)
ইউনুনট্রিয়াম (unknown chemical properties)
ফেরোভিয়াম (unknown chemical properties)
ইউনুনপেন্টিয়াম (unknown chemical properties)
লিভেরমোরিয়াম (unknown chemical properties)
ইউনুনসেপটিয়াম (unknown chemical properties)
ইউনুনকটিয়াম (unknown chemical properties)
C

Si

Ge
অ্যালুমিনিয়ামসিলিকনফসফরাস
পারমাণবিক সংখ্যা14
আদর্শ পারমাণবিক ভর28.0855(3)
মৌলের শ্রেণীmetalloid
শ্রেণী, পর্যায়, ব্লকgroup 14 (carbon group), পর্যায় 3, p-ব্লক
ইলেকট্রন বিন্যাস[Ne] 3s2 3p2
per shell: 2, 8, 4
ভৌত বৈশিষ্ট্য
দশাকঠিন
গলনাংক1687 কে ​(1414 °সে, ​2577 °ফা)
স্ফুটনাংক3538 K ​(3265 °সে, ​5909 °ফা)
ঘনত্ব (r.t.র কাছে)2.3290 g·cm−৩ (০ °সে-এ, ১০১.৩২৫ kPa)
তরলের ঘনত্বm.p.: 2.57 g·cm−৩
ফিউশনের এনথালপি50.21 kJ·mol−১
বাষ্পীয়করণের তাপ359 kJ·mol−১
তাপ ধারকত্ব19.789 J·mol−১·K−১
বাষ্প চাপ
P (Pa) ১০ ১০০ ১ k ১০ k ১০ k
at T (K) 1908 2102 2339 2636 3021 3537
পারমাণবিক বৈশিষ্ট্য
জারণ অবস্থা4, 3 , 2 , 1[১] -1, -2, -3, -4amphoteric oxide
তাড়িৎচুম্বকত্ব1.90 (পলিং স্কেল)
আয়নীকরণ শক্তি
(আরও)
পারমানবিক ব্যাসার্ধ্যempirical: 111 pm
সমযোজী ব্যাসার্ধ111 pm
ভ্যান ডার ওয়ালেস ব্যাসার্ধ210 pm
বিবিধ
কেলাসের গঠনহিরক ঘনক
শব্দের গতিপাতলা রডে: 8433 m·s−১ (at 20 °সে)
তাপ পরিবাহিতা2.6 µm·m−১·K−১ (২৫ °সে-এ)
তাপ পরিবহকত্ব149 W·m−১·K−১
বিদ্যুৎ পরিবাহীতা২০ °সে-এ: 103 [২] Ω·m
চুম্বকত্বdiamagnetic[৩]
Young's modulus185[২] GPa
Shear modulus52[২] GPa
Bulk modulus100 GPa
পয়সনের অনুপাত0.28[২]
কাঠিন্য মাত্রা7
ক্যাস নিবন্ধন নম্বর7440-21-3
সবচেয়ে স্থিতিশীল আইসোটোপ
মূল নিবন্ধ: সিলিকনের আইসোটোপ
iso NA half-life DM DE (MeV) DP
28Si 92.23% Si 14টি নিউট্রন নিয়ে স্থিত হয়
29Si 4.67% Si 15টি নিউট্রন নিয়ে স্থিত হয়
30Si 3.1% Si 16টি নিউট্রন নিয়ে স্থিত হয়
32Si trace 170 y β 13.020 32P
· তথ্যসূত্র

সিলিকন একটি মৌল, এর প্রতীক Siপারমানবিক সংখ্যা 14। ভর হিসেবে এটি বিশ্বের অষ্টম সর্বাধিক প্রাপ্ত মৌল তবে এটি প্রকৃতিতে খুব কমই বিশুদ্ধ অবস্থায় পাওয়া যায়। এটি মূলত ধুলি, বালি গ্রহাণুপুঞ্জ এবং গ্রহসমুহে সিলিকনের অক্সাইড (সিলিকা) বা সিলিকেট আকারে থাকে। পৃথিবীর ভূত্বকের প্রায় ৯০% সিলিকেট যৌগে গঠিত এবং এটি পৃথিবীর ভূত্বকে অক্সিজেনের পর দ্বিতীয় সর্বাধিক প্রাপ্ত মৌল (ভর হিসেবে প্রায় ২৮%)।[৪]

আবিষ্কার[সম্পাদনা]

১৭৮৭ সালে বিজ্ঞানী অ্যান্টনি ল্যাভয়েশিয়ে প্রথম সিলিকন শনাক্ত করেন। কিন্তু, ১৮২৪ সালে বিজ্ঞানী বার্জেলিয়াসকে মৌল হিসেবে সিলিকন আবিষ্কারের কৃতিত্ত্ব দেয়া হয়।

বৈশিষ্ট্য[সম্পাদনা]

সিলিকন কক্ষ তাপমাত্রায় কঠিন পদার্থ এবং এর গলনাঙ্ক এবং হিমাংক যথাক্রমে ১৪১৪ এবং ৩২৬৫ ডিগ্রী সেলসিয়াস। এর তরল অবস্থার ঘনত্ব এর কঠিন অবস্থার ঘনত্বের চেয়ে বেশি। কঠিনে পরিনত করা হলে এর আয়তন অন্যান্য পদার্থের ন্যায় হ্রাস পায় না বরং বৃদ্ধি পায়। এই ধর্মটি পানির বরফে পরিনত হওয়ার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। এর তাপ পরিবাহকত্ব অপেক্ষাকৃত বেশি যার মান প্রায় ১৪৯ ওয়াট·মি−1·কেলভিন−1 বিশুদ্ধ কেলাসাকার সিলিকন ধূসর বর্ণের যার ধাতব দ্যুতি বিদ্যমান। সিলিকন শক্ত, ভঙ্গুর এবং সহজে চেপ্টা করা যায়। কার্বন এবং জার্মেনিয়ামের ন্যায় এটি হীরকের ন্যায় ঘনকাকার কেলাস গঠন করে যার ল্যাটিস দুরত্ব ০.৫৪৩০৭১০ ন্যনোমিটার (৫.৪৩০৭১০ Å).[৫]

যৌগসমূহ[সম্পাদনা]

রাসায়নিক বিক্রিয়া[সম্পাদনা]

ব্যবহার[সম্পাদনা]

তথ্যসূত্র[সম্পাদনা]

  1. Ram, R. S.; ও অন্যান্য (১৯৯৮)। "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" (PDF)J. Mol. Spectr.190: 341–352। PMID 9668026 
  2. Si - silicon. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Ioffe Institute
  3. Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R., সম্পাদক (২০০৫)। CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th সংস্করণ)। Boca Raton (FL): CRC Press। আইএসবিএন 0-8493-0486-5 
  4. http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/tables/elabund.html
  5. O'Mara, William C. (১৯৯০)। Handbook of Semiconductor Silicon Technology। William Andrew Inc.। পৃষ্ঠা 349–352। আইএসবিএন 0-8155-1237-6। সংগ্রহের তারিখ ২০০৮-০২-২৪ 

আরও দেখুন[সম্পাদনা]

বহিঃসংযোগ[সম্পাদনা]