খসড়া:অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড (AlAs ) গ্যালিয়াম আর্সেনাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের মতো প্রায় একই জালি ধ্রুবক এবং গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের চেয়ে বিস্তৃত ব্যান্ড গ্যাপ সহ একটি অর্ধপরিবাহী উপাদান। (AlAs) গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ( Ga As) দিয়ে একটি সুপারল্যাটিস গঠন করতে পারে যার ফলে এটির অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য রয়েছে। ^[১] যেহেতু GaAs এবং AlAs-এর প্রায় একই জালির ধ্রুবক থাকে, স্তরগুলিতে খুব কম প্ররোচিত স্ট্রেন থাকে, যা তাদের প্রায় নির্বিচারে পুরু হতে দেয়। এটি অত্যন্ত উচ্চ কর্মক্ষমতা উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা, HEMT ট্রানজিস্টর এবং অন্যান্য কোয়ান্টাম ওয়েল ডিভাইসের জন্য অনুমতি দেয়। ^[২]^{[পৃষ্ঠা নম্বর প্রয়োজন]}^{[ পৃষ্ঠা প্রয়োজন ]}

বৈশিষ্ট্য[সম্পাদনা]

এর নিম্নলিখিত বৈশিষ্ট্য রয়েছে:^[৩]

তাপ সম্প্রসারণ সহগ 5 µm/(°C*m)
ডেবাই তাপমাত্রা 417 কে
মাইক্রোহার্ডনেস 5.0 GPa (50 গ্রাম লোড)
পরমাণুর সংখ্যা 1 সেমি ³ : (4.42-0.17x)·10 ²² ^[৪]
বাল্ক মডুলাস (7.55+0.26x)·10 ¹¹ দিন সেমি ⁻² ^[৪]
মোহস স্কেলে কঠোরতা: ~ 5 ^[৪]
H ₂ O ^[৪] তে অদ্রবণীয়তা

ব্যবহারসমূহ[সম্পাদনা]

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড হল একটি III-V যৌগিক অর্ধপরিবাহী উপাদান এবং আলোক নির্গত ডায়োডের মতো অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস তৈরির জন্য একটি সুবিধাজনক উপাদান।

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড সুপরিচিত পদ্ধতি ব্যবহার করে প্রস্তুত করা যেতে পারে, যেমন তরল এবং বাষ্প-ফেজ এপিটাক্সি কৌশল বা গলানো-বৃদ্ধি কৌশল। যাইহোক, এই পদ্ধতিগুলির দ্বারা প্রস্তুত অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড স্ফটিকগুলি সাধারণত অস্থির হয় এবং আর্দ্র বাতাসের সংস্পর্শে এলে আর্সাইন ( H ₃ হিসাবে ) তৈরি করে।

সংশ্লেষণ[সম্পাদনা]

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড তৈরির বিষয়ে সামান্য কাজ করা হয়েছে, মূলত এর সাথে জড়িত ব্যবহারিক অসুবিধার কারণে। যৌগটির উচ্চ গলনাঙ্কের (প্রায় 1,700) কারণে গলিত থেকে প্রস্তুত করা কঠিন °C) এবং এই তাপমাত্রায় অ্যালুমিনিয়ামের চরম বিক্রিয়া। কিছু কর্মী গলে যাওয়া থেকে ছোট ছোট স্ফটিক তৈরি করেছে এবং পলিক্রিস্টালাইন ইঙ্গটও তৈরি হয়েছে। এই উপাদানের সেরাটি 10 ¹⁹/সেমি ³ এর একটি অপরিষ্কার বাহক ঘনত্ব রয়েছে এবং এটি পি-টাইপ। ^[৫]

প্রতিক্রিয়াশীলতা[সম্পাদনা]

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড একটি স্থিতিশীল যৌগ; যাইহোক, অ্যাসিড, অ্যাসিড ধোঁয়া এবং আর্দ্রতা এড়ানো উচিত। বিপজ্জনক পলিমারাইজেসন সৃষ্টি হবে না। অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইডের পচন বিপজ্জনক আর্সাইন গ্যাস এবং আর্সেনিক ধোঁয়া তৈরি করে।

বিষাক্ততা[সম্পাদনা]

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইডের রাসায়নিক, শারীরিক এবং বিষাক্ত বৈশিষ্ট্যগুলি পুঙ্খানুপুঙ্খভাবে তদন্ত এবং রেকর্ড করা হয়নি।

অ্যালুমিনিয়াম যৌগের অনেক বাণিজ্যিক ব্যবহার রয়েছে এবং সাধারণত শিল্পে পাওয়া যায়। এই উপাদানগুলির মধ্যে অনেকগুলি রাসায়নিকভাবে সক্রিয় এবং এইভাবে বিপজ্জনক বিষাক্ত এবং প্রতিক্রিয়াশীল বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে।

প্রকাশ এর প্রভাব[সম্পাদনা]

অ্যালুমিনিয়াম যৌগের অনেক বাণিজ্যিক ব্যবহার রয়েছে এবং সাধারণত শিল্পে পাওয়া যায়। এই উপাদানগুলির মধ্যে অনেকগুলি রাসায়নিকভাবে সক্রিয় এবং এইভাবে বিপজ্জনক বিষাক্ত এবং প্রতিক্রিয়াশীল বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে। অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইডের রাসায়নিক, শারীরিক এবং বিষাক্ত বৈশিষ্ট্যগুলি পুঙ্খানুপুঙ্খভাবে তদন্ত এবং রেকর্ড করা হয়নি; যাইহোক, রাসায়নিক বিতরণের উপর ভিত্তি করে কিছু পরিচিত দীর্ঘস্থায়ী এবং তীব্র লক্ষণ রয়েছে।

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইডের শ্বাস-প্রশ্বাস শ্বাসযন্ত্রে তীব্র জ্বালা সৃষ্টি করতে পারে। এটি দীর্ঘস্থায়ী আর্সেনিক বিষক্রিয়া, নাকের সেপ্টামের আলসারেশন, লিভারের ক্ষতি এবং রক্ত, কিডনি এবং স্নায়ুতন্ত্রের ক্যান্সার/রোগের কারণ হতে পারে। অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড খাওয়া হলে তা বিষাক্ত এবং গ্যাস্ট্রোইনটেস্টাইনাল এবং ত্বকের প্রভাব এবং তীব্র আর্সেনিক বিষক্রিয়া হতে পারে। ইনজেশনের দীর্ঘস্থায়ী প্রভাবের মধ্যে রয়েছে আর্সেনিক বিষক্রিয়া, গ্যাস্ট্রোইনটেস্টাইনাল ব্যাঘাত, লিভারের ক্ষতি, এবং রক্ত, কিডনি এবং স্নায়ুতন্ত্রের ক্যান্সার/রোগ। ত্বকে প্রয়োগ করা হলে, অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড তীব্র জ্বালা সৃষ্টি করতে পারে, তবে কোনও দীর্ঘস্থায়ী স্বাস্থ্যের প্রভাব রেকর্ড করা হয়নি। ^[৬]^{[পৃষ্ঠা নম্বর প্রয়োজন]}^{[ পৃষ্ঠা প্রয়োজন ]}

বিশেস সতর্কতাসমূহ[সম্পাদনা]

হ্যান্ডলিং এবং স্টোরেজের ক্ষেত্রে সতর্কতা অবলম্বন করুন: একটি শীতল, শুকনো জায়গায় শক্তভাবে সিল করা পাত্রে সংরক্ষণ করুন। ভাল বায়ুচলাচল আছে নিশ্চিত করুন. সাবধানে পাত্রটি খুলুন এবং পরিচালনা করুন। AlAs অ্যাসিড বা আর্দ্রতার সংস্পর্শে প্রতিক্রিয়া দেখায় যাতে আর্সিনের মতো উদ্বায়ী, অত্যন্ত বিষাক্ত আর্সেনিক যৌগ থাকে।

তথ্যসূত্র[সম্পাদনা]

↑ Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters".
↑ S. Adachi, GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties.
↑ Berger, L. I. (১৯৯৬)। Semiconductor Materials। CRC Press। পৃষ্ঠা 125। আইএসবিএন 978-0-8493-8912-2।
↑ ^ক ^খ ^গ ^ঘ Dierks, S. "Aluminum Arsenide - Material Safety Data" ওয়েব্যাক মেশিনে আর্কাইভকৃত ২০১৩-১০-২৯ তারিখে.
↑ Willardson, R., and Goering, H. (eds.), Compound Semiconductors, pp. 1, 184 (Reinhold Pub. Corp., New York, 1962).
↑ Sax.

[1] Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters".

[2] S. Adachi, GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties.

[berger-3] Berger, L. I. (১৯৯৬)। Semiconductor Materials। CRC Press। পৃষ্ঠা 125। আইএসবিএন 978-0-8493-8912-2।

[multiple-4] ক ^খ ^গ ^ঘ Dierks, S. "Aluminum Arsenide - Material Safety Data" ওয়েব্যাক মেশিনে আর্কাইভকৃত ২০১৩-১০-২৯ তারিখে.

[5] Willardson, R., and Goering, H. (eds.), Compound Semiconductors, pp. 1, 184 (Reinhold Pub. Corp., New York, 1962).

[6] Sax.

[১]

[২]

[৩]

[৪]

[৫]

[৬]