টেমপ্লেট:তথ্যছক সিলিকন

সিলিকন _১৪Si
	Spectral lines of Silicon
উচ্চারণ	/ˈsɪlɪkən/; (SIL-ə-kən); /ˈsɪləkɒn/; (SIL-ə-kon);
উপস্থিতি	crystalline, reflective with bluish-tinged faces
আদর্শ পারমাণবিক ভরAr°(Si)
	[২৮.০৮৪, ২৮.০৮৬]; ২৮.০৮৫±০.০০১ (সংক্ষিপ্ত);
পর্যায় সারণিতে সিলিকন
	অ্যালুমিনিয়াম ← তথ্যছক সিলিকন → ফসফরাস
পারমাণবিক সংখ্যা	১৪
মৌলের শ্রেণী	ধাতুকল্প
গ্রুপ	গ্রুপ ১৪; (কার্বন গ্রুপ)
পর্যায়	পর্যায় ৩
ব্লক	পি-ব্লক
প্রতিটি কক্ষপথে ইলেকট্রন সংখ্যা	2, 8, 4
ভৌত বৈশিষ্ট্য
দশা	কঠিন
গলনাঙ্ক	1687 কে (1414 °সে, 2577 °ফা)
স্ফুটনাঙ্ক	3538 K (3265 °সে, 5909 °ফা)
ঘনত্ব (ক.তা.-র কাছে)	2.3290 g·cm−৩ (০ °সে-এ, ১০১.৩২৫ kPa)
তরলের ঘনত্ব	m.p.: 2.57 g·cm−৩
ফিউশনের এনথালপি	50.21 kJ·mol−১
বাষ্পীভবনের এনথালপি	359 kJ·mol−১
তাপ ধারকত্ব	19.789 J·mol−১·K−১
পারমাণবিক বৈশিষ্ট্য
জারণ অবস্থা	4, 3 , 2 , 1 -1, -2, -3, -4 amphoteric oxide
তড়িৎ-চুম্বকত্ব	1.90 (পলিং স্কেল)
আয়নীকরণ বিভব	; (আরও)
পারমাণবিক ব্যাসার্ধ	empirical: 111 pm
সমযোজী ব্যাসার্ধ	111 pm
ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ	210 pm
বিবিধ
কেলাসের গঠন	হিরক ঘনক হিরক ঘনক
শব্দের দ্রুতি	পাতলা রডে: 8433 m·s−১ (at 20 °সে)
তাপীয় প্রসারাঙ্ক	2.6 µm·m−১·K−১ (২৫ °সে-এ)
তাপীয় পরিবাহিতা	149 W·m−১·K−১
তড়িৎ রোধকত্ব ও পরিবাহিতা	২০ °সে-এ: 103 Ω·m
চুম্বকত্ব	diamagnetic
ইয়ংয়ের গুণাঙ্ক	185 GPa
কৃন্তন গুণাঙ্ক	52 GPa
আয়তন গুণাঙ্ক	100 GPa
পোয়াসোঁর অনুপাত	0.28
(মোজ) কাঠিন্য	7
ক্যাস নিবন্ধন সংখ্যা	7440-21-3
সিলিকনের আইসোটোপ দে; স;
	বিষয়শ্রেণী: সিলিকন; দেখুন; সম্পাদনা; \| তথ্যসূত্র

তথ্যসূত্র

↑ "Standard Atomic Weights: সিলিকন"। CIAAW। ২০০৯।
↑ Prohaska, Thomas; Irrgeher, Johanna; Benefield, Jacqueline; Böhlke, John K.; Chesson, Lesley A.; Coplen, Tyler B.; Ding, Tiping; Dunn, Philip J. H.; Gröning, Manfred; Holden, Norman E.; Meijer, Harro A. J. (২০২২-০৫-০৪)। "Standard atomic weights of the elements 2021 (IUPAC Technical Report)"। Pure and Applied Chemistry (ইংরেজি ভাষায়)। আইএসএসএন 1365-3075। ডিওআই:10.1515/pac-2019-0603।
↑ Ram, R. S.; ও অন্যান্য (১৯৯৮)। "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" (পিডিএফ)। J. Mol. Spectr.। 190: 341–352। পিএমআইডি 9668026।
↑ ^ক ^খ ^গ ^ঘ Si - silicon. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Ioffe Institute
↑ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R., সম্পাদক (২০০৫)। CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th সংস্করণ)। Boca Raton (FL): CRC Press। আইএসবিএন 0-8493-0486-5।
↑ কনদেব, এফ.জি.; ওয়াং, এম.; হুয়াং, ডব্লিউ.জে.; নাইমি, এস.; আউডি, জি. (২০২১)। "The NUBASE2020 evaluation of nuclear properties" [পারমাণবিক বৈশিষ্ট্যের নুবেস২০২০ মূল্যায়ন] (পিডিএফ)। চাইনিজ ফিজিক্স সি (ইংরেজি ভাষায়)। ৪৫ (৩): ০৩০০০১। ডিওআই:10.1088/1674-1137/abddae।

[1] "Standard Atomic Weights: সিলিকন"। CIAAW। ২০০৯।

[CIAAW2021-2] Prohaska, Thomas; Irrgeher, Johanna; Benefield, Jacqueline; Böhlke, John K.; Chesson, Lesley A.; Coplen, Tyler B.; Ding, Tiping; Dunn, Philip J. H.; Gröning, Manfred; Holden, Norman E.; Meijer, Harro A. J. (২০২২-০৫-০৪)। "Standard atomic weights of the elements 2021 (IUPAC Technical Report)"। Pure and Applied Chemistry (ইংরেজি ভাষায়)। আইএসএসএন 1365-3075। ডিওআই:10.1515/pac-2019-0603।

[3] Ram, R. S.; ও অন্যান্য (১৯৯৮)। "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" (পিডিএফ)। J. Mol. Spectr.। 190: 341–352। পিএমআইডি 9668026।

[ioffe-4] ক ^খ ^গ ^ঘ Si - silicon. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Ioffe Institute

[5] Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R., সম্পাদক (২০০৫)। CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th সংস্করণ)। Boca Raton (FL): CRC Press। আইএসবিএন 0-8493-0486-5।

[NUBASE2020-6] কনদেব, এফ.জি.; ওয়াং, এম.; হুয়াং, ডব্লিউ.জে.; নাইমি, এস.; আউডি, জি. (২০২১)। "The NUBASE2020 evaluation of nuclear properties" [পারমাণবিক বৈশিষ্ট্যের নুবেস২০২০ মূল্যায়ন] (পিডিএফ)। চাইনিজ ফিজিক্স সি (ইংরেজি ভাষায়)। ৪৫ (৩): ০৩০০০১। ডিওআই:10.1088/1674-1137/abddae।

[১]

[২]

[৩]

[৪]

[৫]

[৬]