সিলিকন

উইকিপিডিয়া, মুক্ত বিশ্বকোষ থেকে
অ্যালুমিনিয়ামসিলিকনফসফরাস
C

Si

Ge
ভৌত রূপ
crystalline, reflective with bluish-tinged faces


Spectral lines of Silicon
সাধারণ বৈশিষ্ট
নাম, প্রতীক, পারমাণবিক সংখ্যা সিলিকন, Si, 14
উচ্চারণ /ˈsɪlɨkən/ SIL-ə-kən or /ˈsɪlɨkɒn/ SIL-ə-kon
রাসায়নিক শ্রেণী metalloid
শ্রেণী, পর্যায়, ব্লক 143, p
পারমাণবিক ওজন 28.0855(3)
ইলেকট্রন বিন্যাস [Ne] 3s2 3p2
শক্তিস্তরে ইলেকট্রন সংখ্যা 2, 8, 4 (ছবিতে দেখুন)
ভৌত বৈশিষ্ট্য
দশা কঠিন
ঘনত্ব (প্রায় r.t.) 2.3290 g·cm−3
গলনাংকে তরলের ঘনত্ব 2.57 g·cm−3
গলনাংক 1687 K, 1414 °C, 2577 °F
স্ফুটনাংক 3538 K, 3265 °C, 5909 °F
ফিউশনের এনথালপি 50.21 kJ·mol−1
Heat of vaporization 359 kJ·mol−1
তাপ ধারকত্ব 19.789 J·mol−1·K−1
Vapor pressure
P (Pa) 1 10 100 1 k 10 k 100 k
at T (K) 1908 2102 2339 2636 3021 3537
পারমাণবিক বৈশিষ্ট্য
জারন সংখ্যা 4, 3 , 2 , 1[১] -1, -2, -3, -4
(amphoteric oxide)
তাড়িৎচুম্বকত্ব 1.90 (Pauling scale)
আয়নীকরণ শক্তি
(বিস্তারিত)
প্রথম: 786.5 kJ·mol−1
দ্বিতীয়: 1577.1 kJ·mol−1
তৃতীয়: 3231.6 kJ·mol−1
পারমানবিক ব্যাসার্ধ্য 111 pm
Covalent radius 111 pm
Van der Waals radius 210 pm
অন্যান্য বৈশিষ্ট্য
কেলাসের গঠন {{{crystal structure_bn}}}
চুম্বকত্ব diamagnetic[২]
বিদ্যুৎ পরিবাহীতা (20 °C) 103 [৩]Ω·m
তাপ পরিবহকত্ব 149 W·m−1·K−1
তাপ পরিবাহিতা (25 °C) 2.6 µm·m−1·K−1
Speed of sound (thin rod) (20 °C) 8433 m·s−1
ইয়ং-এর গুণাঙ্ক 185[৩] GPa
Shear modulus 52[৩] GPa
Bulk modulus 100 GPa
পয়সনের অনুপাত 0.28[৩]
কাঠিন্য মাত্রা 7
ক্যাস নিবন্ধন নম্বর 7440-21-3
Band gap energy at 300 K 1.12 eV
কয়েকটি উল্লেখযোগ্য সমস্থানিক
মূল নিবন্ধ: Isotopes of silicon
iso NA half-life DM DE (MeV) DP
28Si 92.23% Si 14টি নিউট্রন নিয়ে স্থিত হয়
29Si 4.67% Si 15টি নিউট্রন নিয়ে স্থিত হয়
30Si 3.1% Si 16টি নিউট্রন নিয়ে স্থিত হয়
32Si trace 170 y β 13.020 32P
· সূ

সিলিকন একটি মৌল, এর প্রতীক Siপারমানবিক সংখ্যা 14।

পরিচ্ছেদসমূহ

আবিষ্কার [সম্পাদনা]

১৭৮৭ সালে বিজ্ঞানী অ্যান্টনি ল্যাভয়েশিয়ে প্রথম সিলিকন সনাক্ত করেন। কিন্তু, ১৮২৪ সালে বিজ্ঞানী বার্জেলিয়াসকে মৌল হিসেবে সিলিকন আবিষ্কারের কৃতিত্ত্ব দেয়া হয়।

বৈশিষ্ট্য [সম্পাদনা]

যৌগসমূহ [সম্পাদনা]

রাসায়নিক বিক্রিয়া [সম্পাদনা]

ব্যবহার [সম্পাদনা]

তথ্যসূত্র [সম্পাদনা]

  1. Ram, R. S. et al. (1998)। "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD"J. Mol. Spectr. 190: 341–352। PMID 9668026http://bernath.uwaterloo.ca/media/184.pdf
  2. Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R., ed. (2005). CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th ed.). Boca Raton (FL): CRC Press. আইএসবিএন 0-8493-0486-5.
  3. ৩.০ ৩.১ ৩.২ ৩.৩ Si - silicon. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Ioffe Institute

আরও দেখুন [সম্পাদনা]

বহিঃসংযোগ [সম্পাদনা]