ডোপায়ন

উইকিপিডিয়া, মুক্ত বিশ্বকোষ থেকে
সরাসরি যাও: পরিভ্রমণ, অনুসন্ধান

ডোপায়ন বা ডোপিং হলো অর্ধপরিবাহী উৎপাদনে ইচ্ছাকৃতভাবে একটি অত্যন্ত খাঁটি অর্ধ পরিবাহী'র মধ্যে ভেজাল মিশিয়ে এর বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যাবলী পরিবর্তন করা। ভেজালের পরিমাণ অর্ধপরিবাহীর ধরণের উপর নির্ভর করে।

ডোপায়ন পদ্ধতি[সম্পাদনা]

N-টাইপ সেমি-কন্ডাক্টর সংশ্লেষের বাষ্প-পর্যায়ের পরিবর্তন পদ্ধতি ব্যবহার করা হতে পারে। বাষ্প-পর্যায়ের অবস্থার পরিবর্তন, নেতিবাচক ডোপ ধারণকারী একটি গ্যাস পাতলা পাতের উপর দিয়ে প্রবাহিত হতে দেয়া হয়। এন-টাইপ গ্যাস ডোপিং-এর ক্ষেত্রে গ্যালিয়াম আরসেনাইড-এর উপর দিয়ে হাইড্রোজেন সালফাইড প্রবাহিত করা হয় এবং গঠন ভাগ সালফার অন্তর্ভুক্ত হয়।[১] এই প্রক্রিয়াটি সালফার ক্রমাগত পৃষ্ঠের উপর নিবিষ্টতা দ্বারা চিহ্নিত করা যায়।[২] সাধারণভাবে, ডোপ করার জন্য পছন্দসই বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যসম্পন্ন একটি খুব পাতলা স্তর প্রয়োজন হয়।[৩] প্রতিক্রিয়াটির শর্ত হিসেবে সাধারণত গ্রুপ ষষ্ঠ উপাদানের জন্য ৬০০ থেকে ৮০০° সেন্টিগ্রেড এবং সময় সাধারণত তাপমাত্রার উপর নির্ভর করে ৬-১২ ঘন্টার মতো।

তথ্যসূত্র[সম্পাদনা]

  1. Schubert, E. F. (২০০৫)। Doping in III-V Semiconductors। পৃ: 241–243। আইএসবিএন 0-521-01784-X 
  2. Middleman, S. (১৯৯৩)। Process Engineering Analysis in Semiconductor Device Fabrication। পৃ: 29, 330–337। আইএসবিএন 0-07-041853-5 
  3. Deen, William M. (১৯৯৮)। Analysis of Transport Phenomena। পৃ: 91–94। আইএসবিএন 978-0-19-508494-8