ডোপায়ন
ডোপায়ন বা ডোপিং হলো অর্ধপরিবাহী উৎপাদনে ইচ্ছাকৃতভাবে একটি অত্যন্ত খাঁটি অর্ধ পরিবাহী'র মধ্যে ভেজাল মিশিয়ে এর বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যাবলী পরিবর্তন করা। ভেজালের পরিমাণ অর্ধপরিবাহীর ধরনের উপর নির্ভর করে।
ডোপায়ন পদ্ধতি[সম্পাদনা]
n-টাইপ সেমি-কন্ডাক্টর সংশ্লেষের বাষ্প-পর্যায়ের পরিবর্তন পদ্ধতি ব্যবহার করা হতে পারে। বাষ্প-পর্যায়ের অবস্থার পরিবর্তন, নেতিবাচক ডোপ ধারণকারী একটি গ্যাস পাতলা পাতের উপর দিয়ে প্রবাহিত হতে দেয়া হয়। এন-টাইপ গ্যাস ডোপিং-এর ক্ষেত্রে গ্যালিয়াম আরসেনাইড-এর উপর দিয়ে হাইড্রোজেন সালফাইড প্রবাহিত করা হয় এবং গঠন ভাগ সালফার অন্তর্ভুক্ত হয়।[১] এই প্রক্রিয়াটি সালফার ক্রমাগত পৃষ্ঠের উপর নিবিষ্টতা দ্বারা চিহ্নিত করা যায়।[২] সাধারণভাবে, ডোপ করার জন্য পছন্দসই বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যসম্পন্ন একটি খুব পাতলা স্তর প্রয়োজন হয়।[৩] প্রতিক্রিয়াটির শর্ত হিসেবে সাধারণত গ্রুপ ষষ্ঠ উপাদানের জন্য ৬০০ থেকে ৮০০° সেন্টিগ্রেড এবং সময় সাধারণত তাপমাত্রার উপর নির্ভর করে ৬-১২ ঘণ্টার মতো।
তথ্যসূত্র[সম্পাদনা]
- ↑ Schubert, E. F. (২০০৫)। Doping in III-V Semiconductors। পৃষ্ঠা 241–243। আইএসবিএন 0-521-01784-X।
- ↑ Middleman, S. (১৯৯৩)। Process Engineering Analysis in Semiconductor Device Fabrication। পৃষ্ঠা 29, 330–337। আইএসবিএন 0-07-041853-5।
- ↑ Deen, William M. (১৯৯৮)। Analysis of Transport Phenomena। পৃষ্ঠা 91–94। আইএসবিএন 978-0-19-508494-8।