চিত্র:IvsV IGBT.png

পাতাটির বিষয়বস্তু অন্যান্য ভাষায় নেই।
এই ফাইলটি উইকিমিডিয়া কমন্স থেকে নেওয়া। মূল পাতাটি দেখতে ক্লিক করুন।
উইকিপিডিয়া, মুক্ত বিশ্বকোষ থেকে

পূর্ণ রেজোলিউশন(১,৫০০ × ১,০৫০ পিক্সেল, ফাইলের আকার: ৩০ কিলোবাইট, এমআইএমই ধরন: image/png)

এই ফাইলটি উইকিমিডিয়া কমন্স থেকে নেওয়া। সেখানের বর্ণনা পাতার বিস্তারিত নিম্নে দেখানো হলো। (সম্পাদনা)
উইকিমিডিয়া কমন্স, মুক্ত লাইসেন্সযুক্ত মিডিয়ার একটি ভান্ডার। আপনি সাহায্য করতে পারেন

সারাংশ

বিবরণ Static characteristic of a imaginary Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
তারিখ
উৎস own work, loosely based on model in "Power semiconductor devices" by B. J. Baliga, ISBN 0-534-94098-6
লেখক Cyril BUTTAY
অনুমতি
(এ ফাইলের পুনঃব্যবহার)
as licensed

লাইসেন্স প্রদান

আমি, এই কাজের স্বত্বাধিকারী, এতদ্দ্বারা আমি এই কাজকে নিম্ন বর্ণিত লাইসেন্সের আওতায় প্রকাশ করলাম:
GNU head এই নথি অনুলিপি, বিতরণ এবং/বা পরিবর্তন করার অনুমতি ফ্রি সফটওয়্যার ফাউন্ডেশন কর্তৃক প্রকাশিত গনু ফ্রি ডকুমেন্টেশন লাইসেন্স, সংস্করণ ১.২ বা তার পরবর্তী সংস্করণের আওতায় অনুমতিপ্রাপ্ত; যে কোনো রকম অনুচ্ছেদ পরিবর্তন, সম্মুখ-প্রচ্ছদের লেখা, পিছন-প্রচ্ছদের লেখা পরিবর্তন করা ছাড়াই। এই লাইসেন্সের একটি অনুলিপি গনু ফ্রি ডকুমেন্টেশন লাইসেন্স শিরোনামের অনুচ্ছেদে অন্তর্ভুক্ত করা আছে।
w:bn:ক্রিয়েটিভ কমন্স
স্বীকৃতিপ্রদান একইভাবে বণ্টন
এই ফাইলটি ক্রিয়েটিভ কমন্স অ্যাট্রিবিউশন-শেয়ার অ্যালাইক ৩.০ আনপোর্টেড লাইসেন্সের আওতায় লাইসেন্সকৃত।
আপনি স্বাধীনভাবে:
  • বণ্টন করতে পারেন – এ কাজটি অনুলিপি, বিতরণ এবং প্রেরণ করতে পারেন
  • পুনঃমিশ্রণ করতে পারেন – কাজটি অভিযোজন করতে পারেন
নিম্নের শর্তাবলীর ভিত্তিতে:
  • স্বীকৃতিপ্রদান – আপনাকে অবশ্যই যথাযথ স্বীকৃতি প্রদান করতে হবে, লাইসেন্সের একটি লিঙ্ক সরবরাহ করতে হবে এবং কোনো পরিবর্তন হয়েছে কিনা তা নির্দেশ করতে হবে। আপনি যেকোনো যুক্তিসঙ্গত পদ্ধতিতে এটি করতে পারেন। কিন্তু এমন ভাবে নয়, যাতে প্রকাশ পায় যে লাইসেন্সধারী আপনাকে বা আপনার এই ব্যবহারের জন্য অনুমোদন দিয়েছে।
  • একইভাবে বণ্টন – আপনি যদি কাজটি পুনঃমিশ্রণ, রুপান্তর, বা এর ওপর ভিত্তি করে নতুন সৃষ্টিকর্ম তৈরি করেন, তবে আপনাকে অবশ্যই আপনার অবদান একই লাইসেন্স বা একই রকমের লাইসেন্সের আওতায় বিতরণ করতে হবে।
এই লাইসেন্স ট্যাগটি জিএফডিএল লাইসেন্স হালনাগাদের অংশ হিসেবে এই ফাইলে সংযুক্ত হয়েছে।
w:bn:ক্রিয়েটিভ কমন্স
স্বীকৃতিপ্রদান একইভাবে বণ্টন
এই ফাইলটি ক্রিয়েটিভ কমন্স অ্যাট্রিবিউশন-শেয়ার অ্যালাইক ২.৫ জেনেরিক, ২.০ জেনেরিক এবং ১.০ জেনেরিক লাইসেন্সের আওতায় লাইসেন্সকৃত।
আপনি স্বাধীনভাবে:
  • বণ্টন করতে পারেন – এ কাজটি অনুলিপি, বিতরণ এবং প্রেরণ করতে পারেন
  • পুনঃমিশ্রণ করতে পারেন – কাজটি অভিযোজন করতে পারেন
নিম্নের শর্তাবলীর ভিত্তিতে:
  • স্বীকৃতিপ্রদান – আপনাকে অবশ্যই যথাযথ স্বীকৃতি প্রদান করতে হবে, লাইসেন্সের একটি লিঙ্ক সরবরাহ করতে হবে এবং কোনো পরিবর্তন হয়েছে কিনা তা নির্দেশ করতে হবে। আপনি যেকোনো যুক্তিসঙ্গত পদ্ধতিতে এটি করতে পারেন। কিন্তু এমন ভাবে নয়, যাতে প্রকাশ পায় যে লাইসেন্সধারী আপনাকে বা আপনার এই ব্যবহারের জন্য অনুমোদন দিয়েছে।
  • একইভাবে বণ্টন – আপনি যদি কাজটি পুনঃমিশ্রণ, রুপান্তর, বা এর ওপর ভিত্তি করে নতুন সৃষ্টিকর্ম তৈরি করেন, তবে আপনাকে অবশ্যই আপনার অবদান একই লাইসেন্স বা একই রকমের লাইসেন্সের আওতায় বিতরণ করতে হবে।
আপনি আপনার পছন্দসই লাইসেন্স নির্বাচন করতে পারেন।
 
এই PNG গ্রাফিক্সটি Gnuplot দিয়ে তৈরি করা হয়েছে।

-V{_{th}}=7 V' at 9.8,47 right

set label 4 '6 V' at 9.8,37.5 right set label 5 '5 V' at 9.8,26.5 right set label 6 '4 V' at 9.8,17.4 right set label 7 '3 V' at 9.8,10.5 right set label 8 '2 V' at 9.8,5.5 right set label 9 '1 V' at 9.8,2.5 right

  1. The model is basically that of a mosfet, with a diode in series
  2. Drain current in linear region

linear(vds,vgsvth)=2*vgsvth*vds-vds**2

  1. Drain current in saturation region

saturation(vds,vgsvth)=vgsvth**2

  1. Drain current

draincurrent(vds,vgsvth)=(vds>vgsvth?saturation(vds,vgsvth):linear(vds,vgsvth))

  1. limit between saturation and linear regions

limit(vds)=vds**2

  1. diode forward voltage:

Vf(t,vgsvth)=2*0.026*log(draincurrent(t,vgsvth)/10e-8)

set output "IvsV_IGBT.eps" set parametric set sample 2000

  1. this is totally non physical: we calculate the current in the drain of the mosfet,
  2. then use this value to calculate the voltage drop in the diode, and then plot Vf+voltage
  3. on the x-axis, and the current on the y-axis. Then, I divide the voltage across the MOSFET
  4. by an arbitrary factor (4) to get a steeper curve.

plot [0:40 ][0:10][0:50] Vf(t,1)+t/4,draincurrent(t,1) ls 1 title ,\

	Vf(t,2)+t/4,draincurrent(t,2) ls 1 title ,\
	Vf(t,3)+t/4,draincurrent(t,3) ls 1 title ,\

Vf(t,4)+t/4,draincurrent(t,4) ls 1 title ,\

	Vf(t,5)+t/4,draincurrent(t,5) ls 1 title ,\
	Vf(t,6)+t/4,draincurrent(t,6) ls 1 title ,\
	Vf(t,7)+t/4,draincurrent(t,7) ls 1 title 

}}

ক্যাপশন

এই ফাইল কি প্রতিনিধিত্ব করছে তার এক লাইন ব্যাখ্যা যোগ করুন

এই ফাইলে চিত্রিত আইটেমগুলি

যা চিত্রিত করে

ফাইলের ইতিহাস

যেকোনো তারিখ/সময়ে ক্লিক করে দেখুন ফাইলটি তখন কী অবস্থায় ছিল।

তারিখ/সময়সংক্ষেপচিত্রমাত্রাব্যবহারকারীমন্তব্য
বর্তমান২২:১৩, ২৮ জুন ২০০৬২২:১৩, ২৮ জুন ২০০৬-এর সংস্করণের সংক্ষেপচিত্র১,৫০০ × ১,০৫০ (৩০ কিলোবাইট)CyrilB~commonswiki{{Information |Description=Static characteristic of a imaginary Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |Source=own work, loosely based on model in "Power semiconductor devices" by B. J. Baliga, ISBN 0-534-94098-6 |Date=28/06/2006 |Author=Cyril BUTTAY |P

নিচের পৃষ্ঠা(গুলো) থেকে এই ছবিতে সংযোগ আছে:

ফাইলের বৈশ্বিক ব্যবহার

নিচের অন্যান্য উইকিগুলো এই ফাইলটি ব্যবহার করে: