সিলিকন
সিলিকন | |||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
উচ্চারণ | |||||||||||||||||||||||||||||||
নাম, প্রতীক | সিলিকন, Si | ||||||||||||||||||||||||||||||
আদর্শ পারমাণবিক ভরAr°(Si) | |||||||||||||||||||||||||||||||
উপস্থিতি | crystalline, reflective with bluish-tinged faces | ||||||||||||||||||||||||||||||
পর্যায় সারণিতে সিলিকন | |||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||
পারমাণবিক সংখ্যা | ১৪ | ||||||||||||||||||||||||||||||
মৌলের শ্রেণী | ধাতুকল্প | ||||||||||||||||||||||||||||||
গ্রুপ | গ্রুপ ১৪; (কার্বন গ্রুপ) | ||||||||||||||||||||||||||||||
পর্যায় | পর্যায় ৩ | ||||||||||||||||||||||||||||||
ব্লক | পি-ব্লক | ||||||||||||||||||||||||||||||
প্রতিটি কক্ষপথে ইলেকট্রন সংখ্যা | 2, 8, 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
ভৌত বৈশিষ্ট্য | |||||||||||||||||||||||||||||||
দশা | কঠিন | ||||||||||||||||||||||||||||||
গলনাঙ্ক | 1687 কে (1414 °সে, 2577 °ফা) | ||||||||||||||||||||||||||||||
স্ফুটনাঙ্ক | 3538 K (3265 °সে, 5909 °ফা) | ||||||||||||||||||||||||||||||
ঘনত্ব (ক.তা.-র কাছে) | 2.3290 g·cm−৩ (০ °সে-এ, ১০১.৩২৫ kPa) | ||||||||||||||||||||||||||||||
তরলের ঘনত্ব | m.p.: 2.57 g·cm−৩ | ||||||||||||||||||||||||||||||
ফিউশনের এনথালপি | 50.21 kJ·mol−১ | ||||||||||||||||||||||||||||||
বাষ্পীভবনের এনথালপি | 359 kJ·mol−১ | ||||||||||||||||||||||||||||||
তাপ ধারকত্ব | 19.789 J·mol−১·K−১ | ||||||||||||||||||||||||||||||
বাষ্প চাপ
| |||||||||||||||||||||||||||||||
পারমাণবিক বৈশিষ্ট্য | |||||||||||||||||||||||||||||||
জারণ অবস্থা | 4, 3 , 2 , 1[৩] -1, -2, -3, -4 amphoteric oxide | ||||||||||||||||||||||||||||||
তড়িৎ-চুম্বকত্ব | 1.90 (পলিং স্কেল) | ||||||||||||||||||||||||||||||
আয়নীকরণ বিভব | (আরও) | ||||||||||||||||||||||||||||||
পারমাণবিক ব্যাসার্ধ | empirical: 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
সমযোজী ব্যাসার্ধ | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ | 210 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
বিবিধ | |||||||||||||||||||||||||||||||
কেলাসের গঠন | হিরক ঘনক | ||||||||||||||||||||||||||||||
শব্দের দ্রুতি | পাতলা রডে: 8433 m·s−১ (at 20 °সে) | ||||||||||||||||||||||||||||||
তাপীয় প্রসারাঙ্ক | 2.6 µm·m−১·K−১ (২৫ °সে-এ) | ||||||||||||||||||||||||||||||
তাপীয় পরিবাহিতা | 149 W·m−১·K−১ | ||||||||||||||||||||||||||||||
তড়িৎ রোধকত্ব ও পরিবাহিতা | ২০ °সে-এ: 103 [৪] Ω·m | ||||||||||||||||||||||||||||||
চুম্বকত্ব | diamagnetic[৫] | ||||||||||||||||||||||||||||||
ইয়ংয়ের গুণাঙ্ক | 185[৪] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
কৃন্তন গুণাঙ্ক | 52[৪] GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
আয়তন গুণাঙ্ক | 100 GPa | ||||||||||||||||||||||||||||||
পোয়াসোঁর অনুপাত | 0.28[৪] | ||||||||||||||||||||||||||||||
(মোজ) কাঠিন্য | 7 | ||||||||||||||||||||||||||||||
ক্যাস নিবন্ধন সংখ্যা | 7440-21-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
সিলিকনের আইসোটোপ | |||||||||||||||||||||||||||||||
টেমপ্লেট:তথ্যছক সিলিকন আইসোটোপ এর অস্তিত্ব নেই
| |||||||||||||||||||||||||||||||
সিলিকন একটি মৌল, এর প্রতীক Si ও পারমাণবিক সংখ্যা ১৪। ভর হিসেবে এটি বিশ্বের অষ্টম সর্বাধিক প্রাপ্ত মৌল তবে এটি প্রকৃতিতে খুব কমই বিশুদ্ধ অবস্থায় পাওয়া যায়। এটি মূলত ধুলি, বালি গ্রহাণুপুঞ্জ এবং গ্রহসমুহে সিলিকনের অক্সাইড (সিলিকা) বা সিলিকেট আকারে থাকে। পৃথিবীর ভূত্বকের প্রায় ৯০% সিলিকেট যৌগে গঠিত এবং এটি পৃথিবীর ভূত্বকে অক্সিজেনের পর দ্বিতীয় সর্বাধিক প্রাপ্ত মৌল (ভর হিসেবে প্রায় ২৮%)।[৬]
আবিষ্কার[সম্পাদনা]
১৭৮৭ সালে বিজ্ঞানী অ্যান্টনি ল্যাভয়সিয়ে প্রথম সিলিকন শনাক্ত করেন। কিন্তু, ১৮২৪ সালে বিজ্ঞানী বার্জেলিয়াসকে মৌল হিসেবে সিলিকন আবিষ্কারের কৃতিত্ত্ব দেয়া হয়।
বৈশিষ্ট্য[সম্পাদনা]
সিলিকন কক্ষ তাপমাত্রায় কঠিন পদার্থ এবং এর গলনাঙ্ক এবং হিমাংক যথাক্রমে ১৪১৪ এবং ৩২৬৫ ডিগ্রী সেলসিয়াস। এর তরল অবস্থার ঘনত্ব এর কঠিন অবস্থার ঘনত্বের চেয়ে বেশি। কঠিনে পরিনত করা হলে এর আয়তন অন্যান্য পদার্থের ন্যায় হ্রাস পায় না বরং বৃদ্ধি পায়। এই ধর্মটি পানির বরফে পরিনত হওয়ার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ। এর তাপ পরিবাহকত্ব অপেক্ষাকৃত বেশি যার মান প্রায় ১৪৯ ওয়াট·মি−1·কেলভিন−1 বিশুদ্ধ কেলাসাকার সিলিকন ধূসর বর্ণের যার ধাতব দ্যুতি বিদ্যমান। সিলিকন শক্ত, ভঙ্গুর এবং সহজে চেপ্টা করা যায়। কার্বন এবং জার্মেনিয়ামের ন্যায় এটি হীরকের ন্যায় ঘনকাকার কেলাস গঠন করে যার ল্যাটিস দুরত্ব ০.৫৪৩০৭১০ ন্যনোমিটার (৫.৪৩০৭১০ Å).[৭]
যৌগসমূহ[সম্পাদনা]
রাসায়নিক বিক্রিয়া[সম্পাদনা]
ব্যবহার[সম্পাদনা]
সিলিকন সবচেয়ে বেশি ব্যবহার করা হয় ইলেকট্রনিক শিল্পে।
তথ্যসূত্র[সম্পাদনা]
- ↑ "Standard Atomic Weights: সিলিকন"। CIAAW। টেমপ্লেট:Infobox element/symbol-to-saw/year-changed। এখানে তারিখের মান পরীক্ষা করুন:
|তারিখ=
(সাহায্য) - ↑ Prohaska, Thomas; Irrgeher, Johanna; Benefield, Jacqueline; Böhlke, John K.; Chesson, Lesley A.; Coplen, Tyler B.; Ding, Tiping; Dunn, Philip J. H.; Gröning, Manfred; Holden, Norman E.; Meijer, Harro A. J. (২০২২-০৫-০৪)। "Standard atomic weights of the elements 2021 (IUPAC Technical Report)"। Pure and Applied Chemistry (ইংরেজি ভাষায়)। আইএসএসএন 1365-3075। ডিওআই:10.1515/pac-2019-0603।
- ↑ Ram, R. S.; ও অন্যান্য (১৯৯৮)। "Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD" (পিডিএফ)। J. Mol. Spectr.। 190: 341–352। পিএমআইডি 9668026।
- ↑ ক খ গ ঘ Si - silicon. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Ioffe Institute
- ↑ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R., সম্পাদক (২০০৫)। CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th সংস্করণ)। Boca Raton (FL): CRC Press। আইএসবিএন 0-8493-0486-5।
- ↑ http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/tables/elabund.html
- ↑ O'Mara, William C. (১৯৯০)। Handbook of Semiconductor Silicon Technology। William Andrew Inc.। পৃষ্ঠা 349–352। আইএসবিএন 0-8155-1237-6। সংগ্রহের তারিখ ২০০৮-০২-২৪।