সিমস: সংশোধিত সংস্করণের মধ্যে পার্থক্য

বিষয়বস্তু বিয়োগ হয়েছে বিষয়বস্তু যোগ হয়েছে

রৈখিক

২১:৪৭, ১০ জুলাই ২০১৭ তারিখে সংশোধিত সংস্করণ

কপ্লিমেন্টারি মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর (ইংরেজি: Complementary metal-oxide-semiconductor, সংক্ষেপে CMOS) মূলত এক প্রকার সমন্বিত বর্তনী। মাইক্রোপ্রসেসর, মাইক্রোকন্ট্রোলার, স্ট্যাটিক র‌্যাম, এবং অন্যান্য ডিজিটাল লজিক বর্তনীতে সিমস প্রযুক্তি ব্যবহৃত হয়। এছাড়া বিভিন্ন রকম অ্যানালগ বর্তনীতে, যেমন: ইমেজ সেন্সর, ডেটা কনভার্টার, এবং বিভিন্ন প্রকারের সংযোগসাধনের জন্য উচ্চ সমন্বিত ট্রান্সিভারগুলোতে নানাভাবে সিমস প্রযুক্তি ব্যবহৃত হয়ে আসছে। ফ্র্যাঙ্ক ওয়ানল্যাস ১৯৬৭ সালে সিমস নিজের নামে নিবন্ধন করেন (ইউ.এস. নিবন্ধন নম্বর: 3,356,858)। Complementary metal-oxide-semiconductor-এর বাংলা আক্ষরিক অর্থ ধাতব অক্সাইডের পরিপূরক অর্ধপরিবাহক। এছাড়া সিমসকে মাঝে মাঝে কার্বন-সিমেট্রি মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর (Carbon-symmetry metal-oxide-semiconductor) বা COS-MOS নামেও অভিহিত করা হয়।

সিমস যন্ত্রাংশের দুটি উল্লেখযোগ্য বৈশিষ্ট্য হচ্ছে এর উচ্চ নয়েজ অনাক্রম্যতা, অর্থাৎ বৈদ্যুতিক নয়েজ দ্বারা সহজে আক্রান্ত হয় না এবং পাওয়ার কনজাম্পশন (power consumption) বা শক্তি ক্ষয়। যখন সিমস ডিভাইসে ট্রানজিস্টরগুলো চালু এবং বন্ধ অবস্থার মধ্যে থাকে তখন উল্লেখযোগ্য পরিমাণ বিদ্যুৎ খরচ হয়। এছাড়া অন্যান্য লজিক গেট, যেমন: ট্রানজিস্টর-ট্রানজিস্টর লজিক (TTL) NMOS লজিক-এর মতো সিমস ডিভাইসগুলো অতোটা উদ্বৃত্ত তাপও (waste heat) উৎপন্ন করে না। পি-চ্যানেল ডিভাইসগুলো ছাড়া সকল এন-চ্যানেল ডিভাইসে এই TTL ও NMOS লজিকগুলো ব্যবহার করা যায়।

অ্যানালগ সিমস

ডিজিটাল বর্তনী ছাড়াও সিমস প্রযুক্তি অ্যানালগ বর্তনীতেও ব্যবহৃত হয়। উদাহরণস্বরূপ বলা যায়, বাজারে হাতের কাছে পাওয়া বিভিন্ন সিমস অপারেশনাল বিবর্ধক আইসিগুলো।

তাপমাত্রা সীমা

সিমস যন্ত্রাংশগুলো -৫৫ °C থেকে +১২৫ °C সেলসিয়াস তাপমাত্রায় কাজ করতে পারে। এক্ষেত্রে উল্লেখ্য যে, সিলিকন সিমস কাজ করে ৪০ কেলভিন তাপমাত্রার নিচে।

বহিঃসংযোগ

সিমসের বিভিন্ন গেটের বর্ণনা ও আকর্ষণীয় চিত্র
LASI হচ্ছে সাধারণ উদ্দেশ্য (general purpose) ব্যবহৃত আইসি লেআউট ক্যাড টুল। এটা বিনামূল্যে ডাউনলোড করা যাবে এবং যেকোন সিমস সার্কিটে ব্যবহার করা যাবে।

@@ ১১ নং লাইন: / ১১ নং লাইন: @@
 == আরও পড়ুন ==
-* {{cite book |author= Baker, R. Jacob |title=CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, Revised Second Edition |publisher=Wiley-IEEE |location= |year=2008 |pages= |isbn=978-0-470-22941-5 |oclc= |doi= |accessdate=}} http://CMOSedu.com/
+* {{বই উদ্ধৃতি |author= Baker, R. Jacob |title=CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, Revised Second Edition |publisher=Wiley-IEEE |location= |year=2008 |pages= |isbn=978-0-470-22941-5 |oclc= |doi= |accessdate=}} http://CMOSedu.com/
-* {{cite book |author=Veendrick, Harry J. M. |title= Nanometer CMOS ICs, from Basics to ASICs |publisher=Springer |location=New York |year=2008 |pages=770 |isbn=978-1-4020-8332-7 |oclc= |doi= |accessdate=}}
+* {{বই উদ্ধৃতি |author=Veendrick, Harry J. M. |title= Nanometer CMOS ICs, from Basics to ASICs |publisher=Springer |location=New York |year=2008 |pages=770 |isbn=978-1-4020-8332-7 |oclc= |doi= |accessdate=}}
-* {{cite book |author=Weste, Neil H. E., Harris, David M. |title=CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective, Third Edition |publisher=Pearson/Addison-Wesley |location=Boston |year=2005 |pages= |isbn=0-321-26977-2 |oclc= |doi= |accessdate=}} http://CMOSvlsi.com/
+* {{বই উদ্ধৃতি |author=Weste, Neil H. E., Harris, David M. |title=CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective, Third Edition |publisher=Pearson/Addison-Wesley |location=Boston |year=2005 |pages= |isbn=0-321-26977-2 |oclc= |doi= |accessdate=}} http://CMOSvlsi.com/
-* {{cite book |author=[[Carver Mead|Mead, Carver A.]] and [[Lynn Conway|Conway, Lynn]] |title=Introduction to VLSI systems |publisher=Addison-Wesley |location=Boston |year=1980 |pages= |isbn=0-201-04358-0 |oclc= |doi= |accessdate=}}
+* {{বই উদ্ধৃতি |author=[[Carver Mead|Mead, Carver A.]] and [[Lynn Conway|Conway, Lynn]] |title=Introduction to VLSI systems |publisher=Addison-Wesley |location=Boston |year=1980 |pages= |isbn=0-201-04358-0 |oclc= |doi= |accessdate=}}
 == বহিঃসংযোগ ==