স্ক্যানিং প্রোব মাইক্রোস্কোপি

উইকিপিডিয়া, মুক্ত বিশ্বকোষ থেকে
(প্রোব মাইক্রোস্কোপ স্ক্যান থেকে পুনর্নির্দেশিত)
পরিভ্রমণে ঝাঁপ দিন অনুসন্ধানে ঝাঁপ দিন

স্ক্যানিং প্রোব মাইক্রোস্কোপি (এসপিএম) হল অণুবীক্ষণতত্ত্বের একটি শাখা যাতে একটি প্রোব দ্বারা নমুনা স্ক্যান করে তার পৃষ্ঠের চিত্র গঠন করা হয়। ১৯৮১ সালে পারমাণবিক পর্যায়ের চিত্রগ্রহণকারী স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপ আবিষ্কারের মধ্য দিয়ে এসপিএম প্রতিষ্ঠিত হয়েছিল। বিনিগ এবং রোয়েরার কর্তৃক স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপের প্রথম সফল পরীক্ষা সম্পাদিত হয়। তাঁদের সাফল্যের চাবিকাঠি ছিল একটি প্রতিক্রিয়া চক্র ব্যবহার করে প্রোব ও নমুনার মধ্যে দূরত্ব নিয়ন্ত্রণ করা[১]

অনেক স্ক্যানিং প্রোব মাইক্রোস্কোপ একই সময়ে একাধিক মিথষ্ক্রিয়ার চিত্র ধারণ করতে সক্ষম। এই মিথষ্ক্রিয়াগুলোর সমন্বয়ে একটি চিত্র অর্জন করার পদ্ধতিকে সাধারণত এক-একটি মোড বলা হয়।

কৌশলভেদে চিত্রের সুক্ষ্মতা বিভিন্ন হয়, তবে কিছু কৌশল অসাধারণ পারমাণবিক সুক্ষ্মতা অর্জন করতে পারে[তথ্যসূত্র প্রয়োজন]। এর প্রধাণ কারণ হচ্ছে পাইজোবৈদ্যুতিক অ্যাকচুয়েটরগুলো বৈদ্যুতিক নিয়ন্ত্রণ দ্বারা পারমাণবিক পর্যায় বা আরও সুক্ষ্ম ও নির্ভুলভাবে গতিবিধি পরিচালনা করতে সক্ষম। এই শ্রেণীর কৌশলকে "পাইজোবৈদ্যুতিক কৌশল" নামাঙ্কিত করা যায়। প্রাপ্ত উপাত্ত সাধারণত একটি দ্বি-মাত্রিক উপাত্তের গ্রিড আকারে সংগৃহীত হয়, যা পরবর্তীতে কৃত্রিম-রঞ্জিত চিত্র হিসেবে প্রকাশ করা হয়.

স্বীকৃত প্রকারভেদ[সম্পাদনা]

  • এএফএম, আণবিক বল মাইক্রোস্কোপ[২]
    • সংস্পর্শ এএফএম
    • অসংস্পর্শ এএফএম
    • রুপান্তরযোগ্য স্পর্শ এএফএম
    • ঘাত এএফএম
    • এএফএম-আইআর
  • বিইইএম, প্রক্ষিপ্ত ইলেক্ট্রন নিঃসরণ মাইক্রোস্কোপ[৩]
  • সিএফএম, রাসায়নিক বল মাইক্রোস্কোপ
  • সি-এএফএম, প্রবাহী পারমাণবিক বল মাইক্রোস্কোপ[৪]
  • ইসিএসটিএম, তড়িৎ-রাসায়নিক স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপ[৫]
  • ইএফএম, স্থিরবৈদ্যুতিক বল মাইক্রোস্কোপ[৬]
  • ফ্লুইডএফএম, তরল বল মাইক্রোস্কোপ[৭]
  • এফএমএম, নিয়ন্ত্রিত বল মাইক্রোস্কোপ[৮]
  • এফওএসপিএম, বৈশিষ্ট-ভিত্তিক স্ক্যানিং প্রোব মাইক্রোস্কোপ[৯]
  • কেপিএফএম, কেলভিন প্রোব বল মাইক্রোস্কোপ[১০]
  • এমএফএম, চৌম্বক বল মাইক্রোস্কোপ[১১]
  • এমআরএফএম, চৌম্বক অনুনাদ বল মাইক্রোস্কোপ[১২]
  • এনএসওএম, ঘনিষ্ঠ-ক্ষেত্র অপটিক্যাল স্ক্যান মাইক্রোস্কোপ (বা এসএনওএম, স্ক্যানিং ঘনিষ্ঠ-ক্ষেত্র অপটিক্যাল মাইক্রোস্কোপ)[১৩]
    • ন্যানো-এফটিআইআর, ব্রডব্যান্ড ন্যানোমাত্রিক এসএনওএম-নির্ভর বর্নালীবীক্ষণ[১৪]
  • পিএফএম, পাইজোপ্রতিক্রিয়া বল মাইক্রোস্কোপ[১৫]
  • পিএসটিএম, ফোটন স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপ[১৬]
  • পিটিএমএস, আলোক-তাপীয় বর্নালীবীক্ষণ/মাইক্রোস্কোপ
  • এসসিএম, আধার স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[১৭]
  • এসইসিএম, তড়িৎ-রাসায়নিক স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ
  • এসজিএম, দ্বার স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[১৮]
  • এসএইচপিএম, হল প্রোব স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[১৯]
  • এসআইসিএম, আয়ন-প্রবাহ স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[২০]
  • এসপিএসএম, ঘুর্ণন-সমাবর্তিত স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপ[২১]
  • এসএসএম, এসকিউইউআইডি (SQUID) স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ
  • এসএসআরএম, বিস্তৃত রোধ স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[২২]
  • এসটিএইচএম, তাপীয় স্ক্যান মাইক্রোস্কোপ[২৩]
  • এসটিএম, স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপ[২৪]
  • এসটিপি, স্ক্যানিং টানেলিং বিভববীক্ষণ[২৫]
  • এসভিএম, বিভব স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[২৬]
  • এসএক্সএসটিএম, সিংক্রোট্রন এক্স-রে স্ক্যানিং টানেলিং মাইক্রোস্কোপ[২৭]
  • এসএসইটি, একক-ইলেক্ট্রন ট্রানজিস্টর স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[২৮]
  • এসটিআইএম, তাপীয়-আয়নিক স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[২৯][৩০]
  • সিজিএম, চার্জ গ্র্যাডেয়েন্ট মাইক্রোস্কোপ[৩১][৩২]
  • এসআরপিএম, রোধক প্রোব স্ক্যানিং মাইক্রোস্কোপ[৩৩]

এদের মধ্যে এএফএম এবং এসটিএম রুক্ষতা পরিমাপে সর্বাধিক ব্যবহৃত হয়[তথ্যসূত্র প্রয়োজন]

চিত্র গঠন[সম্পাদনা]

চিত্র গঠনের জন্য স্ক্যানিং প্রোব মাইক্রোস্কোপ প্রথমে প্রোবের অগ্রভাগ নমুনাপৃষ্ঠের ওপর দিয়ে বর্গক্ষেত্রিক নকশার আকারে স্ক্যান করে। স্ক্যানের স্বতন্ত্র বিন্দুতে এক-একটি মান নথিভুক্ত করা হয় (যা এসপিএম এর প্রকাভেদ ও কার্যপ্রণালীর ওপর নির্ভরশীল)। এই মানগুলোর সমন্বয়কে একটি তাপীয় মানচিত্র হিসেবে দেখানো যায়, এবং এর থেকেই চূড়ান্ত এসটিএম চিত্র গঠন করা হয়। এই চিত্র সাধারণত সাদা-কালো অথবা কমলা পর্যায়ের রঙ ব্যবহার করে রঞ্জিত থাকে।

স্থির মিথষ্ক্রিয়া পদ্ধতি[সম্পাদনা]

স্থির মিথষ্ক্রিয়া পদ্ধতির স্ক্যানে (প্রায়ই "প্রতিক্রিয়াশীল" বলে চিহ্নিত) একটি প্রতিক্রিয়া চক্র ব্যবহার করে প্রোবটিকে নমুনাপৃষ্ঠ হতে z-অক্ষ বরাবর নিকট- বা দূরবর্তী করা হতে থাকে যেন মিথষ্ক্রিয়া সর্বদা সমহারে চলমান থাকে।

মিথষ্ক্রিয়া এসপিএম এর ধরণের ওপর নির্ভরশীল, যেমন এসটিএম এর ক্ষেত্রে সুড়ঙ্গ প্রবাহ, অথবা সংস্পর্শীয় এএফএম বা এমএফএম এর ক্ষেত্রে ক্যান্টিলিভারের গতিপথ বদল। ব্যবহৃত প্রতিক্রিয়া চক্রটি সাধারণত একটি পিআই চক্র, যা মূলত একটি পিআইডি-চক্র যার পার্থক্যজনিত বর্ধন শুন্য করে রাখা হয়েছে (কারণ এটি স্পষ্টতা হ্রাস করে)। প্রোবের অগ্রভাগের z-অক্ষের অবস্থান (স্ক্যানিং তলটি xy-তলে বিস্তৃত) কিছু সময় পর পর গণনা করা হয় এবং তাপীয় চিত্র হিসেবে প্রদর্শিত হয়। এটি সাধারণত ভু-সাংস্থানিক চিত্র হিসেবে পরিচিত।

এ পদ্ধতিতে "ত্রুটি সংকেত" বা "ত্রুটি চিত্র" নামক দ্বিতীয় একটি চিত্র গঠন করা হয়, যা মিথষ্ক্রিয়ার থেকে আগত প্রতিক্রিয়ার তাপীয় চিত্র। নিখুঁত পরিবেশে প্রতিক্রিয়া চক্রে প্রেরিত একটি ধ্রুবক মানের জন্য এই চিত্রটি ফাঁকা হবে। তবে বাস্তবে এ চিত্রটি অস্পষ্টতাপূর্ন ও নমুনাপৃষ্ঠের গঠনের কিছু চিহ্ন ধারণ করে। এই ত্রুটি চিত্রের সাহায্যে প্রতিক্রিয়ার প্রাপ্তি পরিবর্তন করে ত্রুটি সংকেতের বৈশিষ্ট্য হ্রাস করা যায়।

যদি প্রাপ্তি ত্রুটিপূর্ণভাবে নির্বাচন করা হয়, তবে চিত্রে বিভিন্ন অস্বাভাবিকতা দেখা দেয়। প্রাপ্তি অপ্রতুল হলে চিত্রের বৈশিষ্ট্যসমূহ প্রলিপ্ত হয়ে দেখা যেতে পারে, আবার অত্যধিক হলে প্রতিক্রিয়া ভারসাম্যহীন হয়ে পড়ে ও কম্পনশীল হতে পারে, ফলে চিত্রে ডোরাকাটা গঠন দেখা যেতে পারে, যা বাস্তবে অনুপস্থিত।

স্থির উচ্চতা পদ্ধতি[সম্পাদনা]

স্থির উচ্চতা পদ্ধতিতে র‌্যাস্টার স্ক্যানকালে প্রোবটি z-অক্ষ বরাবর নড়াচড়া করে না বরং পরীক্ষাধীণ মিথষ্ক্রিয়ার মান নথিভুক্ত করা হয় (যেমন এসটিএম-এর ক্ষেত্রে সুড়ঙ্গ প্রবাহ, অথবা নিয়ন্ত্রিত অসংযুক্ত বিস্তারের এএফএম এর ক্ষেত্রে ক্যান্টিলিভারের দোলনের বিস্তার)। এভাবে প্রাপ্ত তথ্যভিত্তিক তাপীয় চিত্র সাধারণত স্থির উচ্চতাসম্পন্ন চিত্র বলে পরিচিত।

স্থির মিথষ্ক্রিয়া পদ্ধতির তুলনায় স্থির উচ্চতা পদ্ধতি অত্যন্ত জটিল, কারণ নমুনাপৃষ্ঠের সঙ্গে প্রোবের সংঘর্ষের সম্ভাবনা রয়েছে[তথ্যসূত্র প্রয়োজন]। সাধারণত স্থির উচ্চতা পদ্ধতি শুরু করার আগে স্থির মিথষ্ক্রিয়া পদ্ধতি ব্যবহার করা হয় নমুনার নিরীক্ষণীয় অঞ্চলের পৃষ্ঠে কোন বৃহদাকায় দূষণ নেই এটি নিশ্চিত হবার জন্য, নমুনার ঢাল পরিমাপ ও সংশোধনের জন্য এবং (বিশেষত ধীরগতির স্ক্যানের ক্ষেত্রে) নমুনার তাপীয় বিচ্যুতি পরিমাপ ও সংশোধনের জন্য. পাইজোবৈদ্যুতিক সরণও একটি সমস্যার কারণ হতে পারে, তাই স্থির উচ্চতা পদ্ধতির স্ক্যানের পূর্বে বড় গতিবিধির পর মাইক্রোস্কোপটির স্থিতির জন্য কিছু সময় অপেক্ষা করতে হয়।

প্রতিক্রিয়া-জনিত অস্বাভাবিকতা দূর করতে স্থির উচ্চতা পদ্ধতি কার্যকর হতে পারে।[তথ্যসূত্র প্রয়োজন]

প্রোবের অগ্রভাগ[সম্পাদনা]

একটি এসপিএম প্রোবের প্রকৃতি ব্যবহৃত এসপিএম এর ধরণের ওপর সম্পূর্ণভাবে নির্ভরশীল। প্রোবের অগ্রভাগ এবং নমুনার স্থানবিবরণের সমন্বয়ে এসপিএম চিত্র গঠিত হয়[৩৪][তথ্যসূত্র প্রয়োজন]। তবে কিছু কিছু বৈশিষ্ট্য সব, বা অধিকাংশ, এসপিএম এর ক্ষেত্রেই প্রযোজ্য[তথ্যসূত্র প্রয়োজন]

সর্বোচ্চ গুরুত্ত্বের বিষয় হচ্ছে, প্রোবের শিখর যথেষ্ট তীক্ষ্ণ হতে হবে[তথ্যসূত্র প্রয়োজন]। শিখরের তীক্ষ্ণতার ওপর মাইক্রোস্কোপের স্পষ্টতা নির্ভর করে। পারমাণবিক পর্যায়ের স্পষ্টতার জন্য প্রোবের শিখর অবশ্যই একটি পরমাণুতে নিষ্পন্ন হতে হবে। ক্যান্টিলিভার-ভিত্তিক এসপিএম (যেমন এএফএম বা এমএফএম) এর ক্ষেত্রে সম্পূর্ণ ক্যান্টিলিভার ও অন্তর্নিহিত প্রোব এসিড ক্ষোদাই দ্বারা নির্মিত হয়[৩৫] (সাধারণত সিলিকন নাইট্রাইড, Si
3
N
4
)। এসটিএম এবং এসসিএম এর প্রয়োজনীয় বিদ্যুত-প্রবাহী প্রোব নির্মিত হয় স্বাভাবিক পরিবেশে পরিচালনার উদ্দেশ্যে প্লাটিনাম/ইরিডিয়াম তার দিয়ে, বা অতি-উচ্চ শুন্যস্থানের পরিচালনা উদ্দেশ্যে টাংস্টেন দিয়ে। অন্যান্য কাঁচামালও ব্যবহৃত হয় (যেমন স্বর্ণ), নমুনার ওপর নির্ভর করে বা এসপিএম অন্য কোন পরীক্ষার সাথে (যেমন টিইআরএস) সম্পর্কিত কিনা তার ওপর নির্ভর করে। তার কাটার যন্ত্র দিয়ে প্লাটিনাম/ইরিডিয়াম (ও অন্যান্য স্বাভাবিক পরিবেশে পরিচালিত প্রোবের) তার কাটা হয়। কর্তনের সর্বোত্তম উপায় হচ্ছে তারের অধিকাংশ কাটা হয়ে গেলে বাকি অংশ টান দিয়ে বিচ্ছিন্ন করা, যাতে কাটা প্রান্তটি একটি পরমাণুতে সমাপ্ত হবার সম্ভাবনা বৃদ্ধি পায়। টাংস্টেন তার সাধারণত তড়িৎ-রাসায়নিক পদ্ধতিতে ক্ষোদাই করা হয়, এবং অতি-উচ্চ শুন্যস্থানে নেয়ার পর প্রোবের ওপরের জারিত অক্সাইড প্রলেপ অপসারণ করা হয়।

এসপিএম প্রোবের আকাঙ্খিত স্পষ্টতার চিত্র না পাওয়াটা অস্বাভাবিক নয়—ক্রয়কৃত এবং "ঘরে-তৈরি" দুই রকমের মাইক্রোস্কোপের জন্যই। যদি প্রোবের অগ্রভাগ ভোঁতা অথবা একাধিক শীর্ষসম্পন্ন হয়, তবে যুগল চিত্র গঠিত হতে পারে। কিছু ক্ষেত্রে প্রোবের শী্র্ষের তাৎক্ষনিক পরিবর্তন করা যায়, সাধারণত প্রোবের অগ্রভাগকে নমুনা পৃষ্ঠের সাথে সংষর্ষ ঘটিয়ে বা উচ্চ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র প্রয়োগ করে। দ্বিতীয় কাজটি সম্পাদন করা যায় প্রোব ও নমুনার মধ্যে ১০ ভোল্টের মত ঝোঁক বিভব প্রবাহিত করে। এদের দূরত্ব সাধারণত ১-৩ অ্যাংস্ট্রম বলে অত্যন্ত বৃহৎ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি হয়।

সুবিধা[সম্পাদনা]

মাইক্রোস্কোপের সুক্ষ্মতা বিচ্ছুরণ দ্বারা সীমাবদ্ধ নয়, এর সীমাবদ্ধতা নির্ভর করে কেবল প্রোব-নমুনা মিথষ্ক্রিয়ার আয়তন তথা পয়েন্ট বিস্তার ফাংশনের ওপর, যা মাত্র কয়েক পিকোমিটার পর্যন্ত ক্ষুদ্রতাও পেতে পারে। এ কারণে নমুনার স্থানীয় উচ্চতার ক্ষীণ পার্থক্য (<১০০> সিলিকনের ১৩৫ পিকোমিটার ধাপের মত) পরিমাপের দক্ষতায় এ জাতীয় মাইক্রোস্কোপ অপ্রতিদ্বন্দী। প্রোব-নমুনা মিথষ্ক্রিয়ার পার্শ্বিক বিস্তার কেবল শীর্ষ পরমাণু বা মিথষ্ক্রিয়ায় অংশগ্রহণকারী পরমাণুগুলো পর্যন্ত সীমিত থাকে।

মিথষ্ক্রিয়া ব্যবহার করে নমুনায় ক্ষুদ্রকায় কাঠামো তৈরি করা সম্ভব (স্ক্যানিং প্রোব লিথোগ্রাফ)।

নমুনা পর্যবেক্ষণ করতে ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপের মত আংশিক শুন্যস্থানের প্রয়োজন পড়ে না, বরং বায়ুর স্বাভাবিক তাপমাত্রা ও চাপে অথবা তরল বিক্রিয়া ধারকে নিমজ্জিত অবস্থায় পর্যবেক্ষণ সম্ভব।

অসুবিধা[সম্পাদনা]

স্ক্যানকারী শীর্ষের পুঙ্খানুপুঙ্খ আকার নির্ণয় করা কখনো কখনো জটিল হয়। চুড়ান্ত উপাত্তে এর প্রভাব লক্ষণীয় হয়ে দেখা দেয় যদি নমুনার ১০ ন্যানোমিটার বা এর কম পার্শ্বীয় বিস্তারের এলাকায় উচ্চতার প্রচুর পার্থক্য থাকে।

স্ক্যানিং প্রক্রিয়ার কৌশলগুলো সাধারণত চিত্র অর্জনে ধীরগতিশীল। তাই স্ক্যানিংয়ের মাত্রার ব্যাপক বৃদ্ধি জন্য পদক্ষেপ নেয়া হচ্ছে। অন্যান্য স্ক্যানিং কৌশলের মতই একটি সময় পরম্পরায় স্থান-সংক্রান্ত তথ্য নিহিত করার ফলে মাত্রাবিজ্ঞানের, যেমন পার্শ্বীয় ব্যবধান বা কোণের পরিমাপে, অনিশ্চয়তা আগমন করে। এই অনিশ্চয়তা উদ্ভব হয় নমুনার স্থানচ্যুতি, প্রতিক্রিয়া চক্রের ওঠানামা, বা যান্ত্রিক কম্পন ইত্যাদি সময়-ভিত্তিক ঘটনার প্রভাবে।

চিত্রের সর্বোচ্চ সম্ভাব্য আকার সাধারণত বেশি বড় হয় না।

প্রোব মাইক্রোস্কোপ স্ক্যান প্রোথিত কঠিন-কঠিন বা তরল-তরল স্পর্শতল নীরিক্ষণের ক্ষেত্রে সাধারণত খুব একটা কার্যকর নয়।

চিত্রায়ণ ও বিশ্লেষণ সফটওয়্যার[সম্পাদনা]

আলোক মাইক্রোস্কোপের পরিপন্থিভাবে এসটিএম এর প্রাপ্ত উপাত্ত হতে চিত্র তৈরির জন্য সবক্ষেত্রেই উপস্থাপক বা রেন্ডারিং সফটওয়্যার প্রয়োজন পড়ে। সাধারণত এধরণের সফটওয়্যার উৎপাদক কর্তৃক মাইক্রোস্কোপে পূর্বনিহিত থাকে, তবে অতিরিক্ত আনুষঙ্গিক উপাদান হিসেবে বিভিন্ন বিশেষায়িত ওয়ার্কগ্রুপ বা প্রতিষ্ঠান হতেও সরবরাহ করা হয়। সাধারণত ব্যবহৃত সফটওয়্যার হচ্ছে:

  • মুক্ত সফটওয়্যার: গয়দিয়োন, ডব্লিউএসএক্সএম (ন্যানোটেকের উৎপাদিত)
  • বিক্রয়কৃত সফটওয়্যার: এসপিআইপি (ইমেজ মেট্রোলজির উৎপাদিত), ফেমটোস্ক্যান অনলাইন (উন্নত প্রযুক্ত কেন্দ্রের উৎপাদিত), মাউন্টেইনসম্যাপ এসপিএম (ডিজিটাল সার্ফের উৎপাদিত), টোপোস্টিচ (ইমেজ মেট্রোলজির উৎপাদিত)।

তথ্যসূত্র[সম্পাদনা]

  1. Salapaka, Srinivasa; Salapaka, Murti (২০০৮)। "Scanning Probe Microscopy"। IEEE Control Systems Magazine28 (2): 65–83। doi:10.1109/MCS.2007.914688আইএসএসএন 0272-1708 
  2. Binnig, G.; C. F. Qate; Ch. Gerber (১৯৮৬-০৩-০৩)। "Atomic Force Microscope"। Physical Review Letters56 (9): 930–933। doi:10.1103/PhysRevLett.56.930PMID 10033323বিবকোড:1986PhRvL..56..930B 
  3. Kaiser, W. J.; L. D. Bell (১৯৮৮)। "Direct investigation of subsurface interface electronic structure by ballistic-electron-emission microscopy"। Physical Review Letters60 (14): 1406–1409। doi:10.1103/PhysRevLett.60.1406PMID 10038030বিবকোড:1988PhRvL..60.1406K 
  4. Zhang, L.; T. Sakai, N. Sakuma, T. Ono, K. Nakayama; Sakuma, N.; Ono, T.; Nakayama, K. (১৯৯৯)। "Nanostructural conductivity and surface-potential study of low-field-emission carbon films with conductive scanning probe microscopy"। Applied Physics Letters75 (22): 3527–3529। doi:10.1063/1.125377বিবকোড:1999ApPhL..75.3527Z 
  5. Higgins, S. R.; R. J. Hamers (মার্চ ১৯৯৬)। Morphology and dissolution processes of metal sulfide minerals observed with the electrochemical scanning tunneling microscopeJournal of Vacuum Science and Technology B14। AVS। পৃষ্ঠা 1360–1364। doi:10.1116/1.589098বিবকোড:1996JVSTB..14.1360H। সংগ্রহের তারিখ ২০০৯-১০-০৫ 
  6. Weaver, J. M. R.; David W. Abraham (১৯৯১)। "High resolution atomic force microscopy potentiometry"। Journal of Vacuum Science and Technology B9 (3): 1559–1561। doi:10.1116/1.585423বিবকোড:1991JVSTB...9.1559W 
  7. Meister, André; Gabi, Michael; Behr, Pascal; Studer, Philipp; Vörös, János; Niedermann, Philippe; Bitterli, Joanna; Polesel-Maris, Jérôme; Liley, Martha; Heinzelmann, Harry; Zambelli, Tomaso (২০০৯)। "FluidFM: Combining Atomic Force Microscopy and Nanofluidics in a Universal Liquid Delivery System for Single Cell Applications and Beyond"। Nano Letters9 (6): 2501–2507। doi:10.1021/nl901384xPMID 19453133আইএসএসএন 1530-6984বিবকোড:2009NanoL...9.2501M 
  8. Fritz, M.; M. Radmacher, N. Petersen, H. E. Gaub (মে ১৯৯৪)। "Visualization and identification of intracellular structures by force modulation microscopy and drug induced degradation"The 1993 international conference on scanning tunneling microscopy। The 1993 international conference on scanning tunneling microscopy। 12। Beijing, China: AVS। পৃষ্ঠা 1526–1529। doi:10.1116/1.587278বিবকোড:1994JVSTB..12.1526F। সংগ্রহের তারিখ ২০০৯-১০-০৫ 
  9. R. V. Lapshin (২০১১)। "Feature-oriented scanning probe microscopy"। H. S. Nalwa। Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology (PDF)14। USA: American Scientific Publishers। পৃষ্ঠা 105–115। আইএসবিএন 1-58883-163-9 
  10. Nonnenmacher, M.; M. P. O'Boyle; H. K. Wickramasinghe (১৯৯১)। "Kelvin probe force microscopy"। Applied Physics Letters58 (25): 2921–2923। doi:10.1063/1.105227বিবকোড:1991ApPhL..58.2921N 
  11. Hartmann, U. (১৯৮৮)। "Magnetic force microscopy: Some remarks from the micromagnetic point of view"। Journal of Applied Physics64 (3): 1561–1564। doi:10.1063/1.341836বিবকোড:1988JAP....64.1561H 
  12. Sidles, J. A.; J. L. Garbini, K. J. Bruland, D. Rugar, O. Züger, S. Hoen, C. S. Yannoni (১৯৯৫)। "Magnetic resonance force microscopy"। Reviews of Modern Physics67 (1): 249। doi:10.1103/RevModPhys.67.249বিবকোড:1995RvMP...67..249S 
  13. BETZIG, E.; J. K. TRAUTMAN, T. D. HARRIS, J. S. WEINER, R. L. KOSTELAK (১৯৯১-০৩-২২)। "Breaking the Diffraction Barrier: Optical Microscopy on a Nanometric Scale"Science251 (5000): 1468–1470। doi:10.1126/science.251.5000.1468PMID 17779440বিবকোড:1991Sci...251.1468B। সংগ্রহের তারিখ ২০০৯-১০-০৫ 
  14. Huth, Florian; Govyadinov, Alexander; Amarie, Sergiu; Nuansing, Wiwat; Keilmann, Fritz; Hillenbrand, Rainer (২০১২-০৮-০৮)। "Nano-FTIR Absorption Spectroscopy of Molecular Fingerprints at 20 nm Spatial Resolution"Nano Letters12 (8): 3973–3978। doi:10.1021/nl301159vআইএসএসএন 1530-6984বিবকোড:2012NanoL..12.3973H 
  15. Roelofs, A.; U. Bottger, R. Waser, F. Schlaphof, S. Trogisch, L. M. Eng (২০০০)। "Differentiating 180° and 90° switching of ferroelectric domains with three-dimensional piezoresponse force microscopy"। Applied Physics Letters77 (21): 3444–3446। doi:10.1063/1.1328049বিবকোড:2000ApPhL..77.3444R 
  16. Reddick, R. C.; R. J. Warmack; T. L. Ferrell (১৯৮৯-০১-০১)। "New form of scanning optical microscopy"Physical Review B39 (1): 767। doi:10.1103/PhysRevB.39.767বিবকোড:1989PhRvB..39..767R। সংগ্রহের তারিখ ২০০৯-১০-০৫ 
  17. Matey, J. R.; J. Blanc (১৯৮৫)। "Scanning capacitance microscopy"। Journal of Applied Physics57 (5): 1437–1444। doi:10.1063/1.334506বিবকোড:1985JAP....57.1437M 
  18. Eriksson, M. A.; R. G. Beck, M. Topinka, J. A. Katine, R. M. Westervelt, K. L. Campman, A. C. Gossard (১৯৯৬-০৭-২৯)। "Cryogenic scanning probe characterization of semiconductor nanostructures"Applied Physics Letters69 (5): 671–673। doi:10.1063/1.117801বিবকোড:1996ApPhL..69..671E। সংগ্রহের তারিখ ২০০৯-১০-০৫ 
  19. Chang, A. M.; H. D. Hallen, L. Harriott, H. F. Hess, H. L. Kao, J. Kwo, R. E. Miller, R. Wolfe, J. van der Ziel, T. Y. Chang (১৯৯২)। "Scanning Hall probe microscopy"। Applied Physics Letters61 (16): 1974–1976। doi:10.1063/1.108334বিবকোড:1992ApPhL..61.1974C 
  20. Hansma, PK; B Drake, O Marti, SA Gould, CB Prater (১৯৮৯-০২-০৩)। "The scanning ion-conductance microscope"Science243 (4891): 641–643। doi:10.1126/science.2464851PMID 2464851বিবকোড:1989Sci...243..641H। সংগ্রহের তারিখ ২০০৯-১০-০৫ 
  21. Wiesendanger, R.; M. Bode (২০০১-০৭-২৫)। "Nano- and atomic-scale magnetism studied by spin-polarized scanning tunneling microscopy and spectroscopy"Solid State Communications119 (4-5): 341–355। doi:10.1016/S0038-1098(01)00103-Xআইএসএসএন 0038-1098বিবকোড:2001SSCom.119..341W। সংগ্রহের তারিখ ২০০৯-১০-০৫ 
  22. De Wolf, P.; J. Snauwaert, T. Clarysse, W. Vandervorst, L. Hellemans (১৯৯৫)। "Characterization of a point-contact on silicon using force microscopy-supported resistance measurements"। Applied Physics Letters66 (12): 1530–1532। doi:10.1063/1.113636বিবকোড:1995ApPhL..66.1530D 
  23. Xu, J. B.; K. Lauger, K. Dransfeld, I. H. Wilson (১৯৯৪)। "Thermal sensors for investigation of heat transfer in scanning probe microscopy"। Review of Scientific Instruments65 (7): 2262–2266। doi:10.1063/1.1145225বিবকোড:1994RScI...65.2262X 
  24. Binnig, G.; H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel (১৯৮২)। "Tunneling through a controllable vacuum gap"। Applied Physics Letters40 (2): 178–180। doi:10.1063/1.92999বিবকোড:1982ApPhL..40..178B 
  25. Vorlesungsskript Physikalische Elektronik und Messtechnik (জার্মান)
  26. Trenkler, T.; P. De Wolf, W. Vandervorst, L. Hellemans (১৯৯৮)। "Nanopotentiometry: Local potential measurements in complementary metal--oxide--semiconductor transistors using atomic force microscopy"। Journal of Vacuum Science and Technology B16: 367–372। doi:10.1116/1.589812বিবকোড:1998JVSTB..16..367T 
  27. Volker Rose, John W. Freeland, Stephen K. Streiffer (২০১১)। "New Capabilities at the Interface of X-Rays and Scanning Tunneling Microscopy"। Kalinin, Sergei V.; Gruverman, Alexei (Eds.)। Scanning Probe Microscopy of Functional Materials: Nanoscale Imaging and Spectroscopy (1st সংস্করণ)। New York: Springer। পৃষ্ঠা 405–431। doi:10.1007/978-1-4419-7167-8_14আইএসবিএন 978-1-4419-6567-7 
  28. Yoo, M. J.; Fulton, T. A. and Hess, H. F. and Willett, R. L. and Dunkleberger, L. N. and Chichester, R. J. and Pfeiffer, L. N. and West, K. W. (২৫ এপ্রিল ১৯৯৭)। "Scanning Single-Electron Transistor Microscopy: Imaging Individual Charges."। Science276 (5312): 579–582। doi:10.1126/science.276.5312.579 
  29. Esfahani, Ehsan Nasr; Eshghinejad, Ahmad; Ou, Yun; Zhao, Jinjin; Adler, Stuart; Li, Jiangyu (2017/11)। "Scanning Thermo-Ionic Microscopy: Probing Nanoscale Electrochemistry via Thermal Stress-Induced Oscillation"Microscopy Today25 (6): 12–19। doi:10.1017/s1551929517001043আইএসএসএন 1551-9295  এখানে তারিখের মান পরীক্ষা করুন: |তারিখ= (সাহায্য)
  30. Eshghinejad, Ahmadreza; Nasr Esfahani, Ehsan; Wang, Peiqi; Xie, Shuhong; Geary, Timothy C.; Adler, Stuart B.; Li, Jiangyu (২০১৬-০৫-২৮)। "Scanning thermo-ionic microscopy for probing local electrochemistry at the nanoscale"Journal of Applied Physics119 (20): 205110। doi:10.1063/1.4949473আইএসএসএন 0021-8979বিবকোড:2016JAP...119t5110E 
  31. Hong, Seungbum; Tong, Sheng; Park, Woon Ik; Hiranaga, Yoshiomi; Cho, Yasuo; Roelofs, Andreas (২০১৪-০৫-০৬)। "Charge gradient microscopy"Proceedings of the National Academy of Sciences (ইংরেজি ভাষায়)। 111 (18): 6566–6569। doi:10.1073/pnas.1324178111PMID 24760831আইএসএসএন 0027-8424বিবকোড:2014PNAS..111.6566H 
  32. Nasr Esfahani, Ehsan; Liu, Xiaoyan; Li, Jiangyu। "Imaging ferroelectric domains via charge gradient microscopy enhanced by principal component analysis"Journal of Materiomics3 (4): 280–285। doi:10.1016/j.jmat.2017.07.001 
  33. Park, Hongsik; Jung, Juhwan; Min, Dong-Ki; Kim, Sungdong; Hong, Seungbum; Shin, Hyunjung (২০০৪-০৩-০২)। "Scanning resistive probe microscopy: Imaging ferroelectric domains"Applied Physics Letters84 (10): 1734–1736। doi:10.1063/1.1667266আইএসএসএন 0003-6951বিবকোড:2004ApPhL..84.1734P 
  34. Bottomley, Lawrence A. (১৯৯৮-০৫-১৯)। "Scanning Probe Microscopy"Analytical Chemistry (ইংরেজি ভাষায়)। 70 (12): 425–476। doi:10.1021/a1980011o 
  35. Akamine, S.; Barrett, R. C.; Quate, C. F. (১৯৯০)। "Improved atomic force microscope images using microcantilevers with sharp tips"। Applied Physics Letters57 (3): 316। doi:10.1063/1.103677বিবকোড:1990ApPhL..57..316A 

বহিঃসংযোগ[সম্পাদনা]