ওয়্যারলেস নেটওয়ার্ক
একটি ওয়্যারলেস নেটওয়ার্ক[১] হলো একটি কম্পিউটার নেটওয়ার্ক যা নেটওয়ার্ক নোডের মধ্যে ওয়্যারলেস ডেটা সংযোগ ব্যবহার করে।[২]
ওয়্যারলেস নেটওয়ার্কিং হলো এমন একটি পদ্ধতি যার মাধ্যমে ঘরবাড়ি, টেলিযোগাযোগ নেটওয়ার্ক এবং ব্যবসায়িক স্থাপনা একটি বিল্ডিংয়ে ক্যাবল প্রবর্তনের ব্যয়বহুল প্রক্রিয়া বা বিভিন্ন যন্ত্রপাতির অবস্থানের মধ্যে সংযোগ হিসাবে এড়ায়।[৩] অ্যাডমিন টেলিকমিউনিকেশন নেটওয়ার্ক সাধারণত রেডিও কমিউনিকেশন ব্যবহার করে বাস্তবায়িত এবং পরিচালিত হয়। এই বাস্তবায়ন ওএসআই মডেল নেটওয়ার্ক কাঠামোর শারীরিক স্তরে সঞ্চালিত হয়।[৪]
ওয়্যারলেস নেটওয়ার্কের উদাহরণের মধ্যে রয়েছে সেলুলার নেটওয়ার্ক, ওয়্যারলেস লোকাল এরিয়া নেটওয়ার্ক (WLANs), ওয়্যারলেস সেন্সর নেটওয়ার্ক, স্যাটেলাইট কমিউনিকেশন নেটওয়ার্ক এবং টেরেস্ট্রিয়াল অণুতরঙ্গ নেটওয়ার্ক।[৫]
ইতিহাস
[সম্পাদনা]ওয়্যারলেস নেটওয়ার্ক
[সম্পাদনা]১৯৬৯ সালে হাওয়াই বিশ্ববিদ্যালয়ে অ্যালোহনেট ব্র্যান্ডের অধীনে প্রথম পেশাদারী ওয়্যারলেস নেটওয়ার্ক তৈরি করা হয় এবং ১৯৭১ সালের জুন মাসে এটি চালু হয়। প্রথম বাণিজ্যিক ওয়্যারলেস নেটওয়ার্ক ছিল ওয়েভল্যানের পণ্য, যা ১৯৮৬ সালে এনসিআর দ্বারা বিকশিত হয়েছিল।
- ১৯৭৩ – ইথারনেট ৮০২.৩
- ১৯৯১ – ২জি সেল ফোন নেটওয়ার্ক
- জুন ১৯৯৭ – আইইইই ৮০২.১১ "ওয়াই-ফাই" প্রোটোকল প্রথম প্রকাশ
- ১৯৯৯ – ৮০৩.১১ ভয়েস ওভার ইন্টারনেট প্রোটোকল ইন্টিগ্রেশন
অন্তর্নিহিত প্রযুক্তি
[সম্পাদনা]মসফেট (মস ট্রানজিস্টার) ওয়্যারলেস প্রযুক্তির অগ্রগতি ডিজিটাল ওয়্যারলেস নেটওয়ার্কগুলির বিকাশকে সক্ষম করেছে। আরএফ সিমস (রেডিও কম্পাঙ্ক সিমস), পাওয়ার মসফেট এবং এলডিমস (ল্যাটারাল ডিফিউজড মস) ডিভাইসগুলির ব্যাপক গ্রহণ ১৯৯০-এর দশকে ডিজিটাল ওয়্যারলেস নেটওয়ার্কের বিকাশ ও বিস্তারের দিকে পরিচালিত করে, মসফেট প্রযুক্তির আরও অগ্রগতির ফলে ২০০০-এর দশকে ব্যান্ডউইথ বৃদ্ধি পায় (এডহমের আইন)।[৬][৭][৮] মোবাইল ট্রান্সসিভার, বেস স্টেশন মডিউল, রাউটার, আরএফ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার,[৭] টেলিকমিউনিকেশন সার্কিট,[৯] আরএফ সার্কিট এবং রেডিও ট্রান্সসিভার[৮] সহ ২জি, ৩জি[৬] এবং ৪জি এর মতো নেটওয়ার্কের বেশিরভাগ অপরিহার্য উপাদান মসফেট থেকে তৈরি করা হয়।[৭]
বর্তমানে মোবাইল ও বেস স্টেশনগুলোর জন্য রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার অ্যাম্প্লিফায়ার হিসেবে LDMOS (Laterally Diffused MOS) ছাড়াও Gallium Nitride (GaN) ভিত্তিক প্রযুক্তি ব্যাপকভাবে গ্রহণযোগ্যতা পাচ্ছে কারণ GaN উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ পাওয়ার ক্ষমতা এবং উন্নত তাপ কার্যকারিতার জন্য খ্যাত। Mitsubishi Electric সম্প্রতি ৭ GHz ব্যান্ডের জন্য একটি অত্যন্ত কম্প্যাক্ট GaN পাওয়ার অ্যাম্প্লিফায়ার মডিউল তৈরি করেছে, যেটি বিশ্বসেরা পাওয়ার দক্ষতা প্রদর্শন করেছে এবং 5G-Advanced এবং ভবিষ্যতের 6G লাইনের জন্য তা অত্যন্ত উপযোগী [১০]।
LDMOS এখনও 4G-বেস স্টেশনগুলির জন্য প্রচলিত ছিল, কিন্তু GaN-ভিত্তিক ডিভাইসগুলি এখন 5G ও ভবিষ্যৎ 6G যোগাযোগ ব্যবস্থায় গুরুত্ব পাচ্ছে [১১]।
আরো যেটা নতুন হলো, 5G-Advanced থেকে 6G পর্যন্ত একাধিক ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডে (যেমন 4G, 5G ও beyond-5G/6G) কাজ করতে সক্ষম একক GaN পিএ (power amplifier) তৈরি হয়েছে, যা একাধিক কমিউনিকেশন স্ট্যান্ডার্ড এক প্ল্যাটফর্মে ব্যবহারযোগ্য করে তোলে [১২]।
স্মার্টফোন ও ওয়্যারলেস ডিভাইসের মধ্যে RF CMOS প্রযুক্তির ব্যবহার আজও অপরিহার্য; এটি RF, অ্যানালগ এবং ডিজিটাল সার্কিট একত্রিত করে একটি সিঙ্গেল CMOS চিপে, Wi-Fi, Bluetooth, GPS, ফন রেডিও ট্রান্সসিভারসহ সব আধুনিক যোগাযোগ ডিভাইসে ব্যবহৃত হচ্ছে [১৩]।
যেহেতু ফ্রিকোয়েন্সি বৃদ্ধির প্রয়োজন (যেমন 6G), sub-THz রেঞ্জে CMOS-ভিত্তিক পাওয়ার অ্যাম্প্লিফায়ার তৈরি নিয়ে গবেষণা চলছে। নতুন ডিজাইন কৌশল যেমন coupled-line, load-pull matching, gain boosting, এবং PA ডিজাইন এর β-optimizaton এখন sub-THz PA এর পারফরম্যান্স বাড়াতে ব্যবহৃত হচ্ছে।
এই সব মিলিয়ে, MOSFET প্রযুক্তিটি শুধু ডিজিটাল ওয়্যারলেস নেটওয়ার্কের ভিত্তি নয়, বরং এটি এখন 5G-Advanced ও 6G-এর উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ ব্যান্ডউইথের প্রয়োজনেও মসফেট থেকে GaN, RF-CMOS এবং sub-THz CMOS PA-এ একটি প্রযুক্তিগত অগ্রযাত্রার প্রতীক রূপে দেখা যাচ্ছে।
তথ্যসূত্র
[সম্পাদনা]- ↑ "What Is a Wireless Network?"। Cisco। সংগ্রহের তারিখ ২ সেপ্টেম্বর ২০২৫।
- ↑ "A New Clusterings Algorithm for Wireless Sensor Networks"।
- ↑ "- Cambridge University Press"। www.cambridge.org। সংগ্রহের তারিখ ৩০ আগস্ট ২০২১।
- ↑ "Getting to Know Wireless Networks and Technology | Brief History"। www.informit.com। সংগ্রহের তারিখ ৩০ আগস্ট ২০২১।
- ↑ Miao, Guowang (২০১৬)। Fundamentals of mobile data networks। Jens Zander, Ki Won Sung, Slimane Ben Slimane। New York। আইএসবিএন ৯৭৮-১-৩১৬-৫৩৪২৯-৮। ওসিএলসি 944382535।
{{বই উদ্ধৃতি}}: উদ্ধৃতি শৈলী রক্ষণাবেক্ষণ: অবস্থানে প্রকাশক অনুপস্থিত (লিঙ্ক) - 1 2 Baliga, B. Jayant (২০০৫)। Silicon RF power MOSFETS। Singapore: World Scientific। আইএসবিএন ৯৭৮-৯৮১-২৫৬-১২১-৩। ওসিএলসি 560092203।
- 1 2 3 Asif, Saad Z. (২০১৯)। 5G mobile communications : concepts and technologies (First edition সংস্করণ)। Boca Raton, FL। আইএসবিএন ৯৭৮-০-৪২৯-৮৮১৩৪-৩। ওসিএলসি 1046085175।
{{বই উদ্ধৃতি}}:|edition=-এ অতিরিক্ত লেখা রয়েছে (সাহায্য)উদ্ধৃতি শৈলী রক্ষণাবেক্ষণ: অবস্থানে প্রকাশক অনুপস্থিত (লিঙ্ক) - 1 2 O'Neill, Anne (শীতকাল ২০০৮)। "Asad Abidi Recognized for Work in RF-CMOS"। IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter। ১৩ (1): ৫৭–৫৮। ডিওআই:10.1109/N-SSC.2008.4785694। আইএসএসএন 1098-4232।
- ↑ Colinge, Jean-Pierre (২০১৬)। Nanowire transistors : physics of devices and materials in one dimension। Jim Greer। Cambridge, United Kingdom। আইএসবিএন ৯৭৮-১-১০৭-২৮০৭৭-৯। ওসিএলসি 962435132।
{{বই উদ্ধৃতি}}: উদ্ধৃতি শৈলী রক্ষণাবেক্ষণ: অবস্থানে প্রকাশক অনুপস্থিত (লিঙ্ক) - ↑ Marias, Stephen Las (২৬ জুন ২০২৫)। "Mitsubishi Electric GaN Power Amplifier Module Achieves Verification for 5G-Advanced Base Stations"। EE Times Asia (ইংরেজি ভাষায়)। সংগ্রহের তারিখ ১৩ আগস্ট ২০২৫।
- ↑ LaPedus, Mark (২৪ আগস্ট ২০২০)। "Power Amp Wars Begin For 5G"। Semiconductor Engineering (মার্কিন ইংরেজি ভাষায়)। সংগ্রহের তারিখ ১৩ আগস্ট ২০২৫।
- ↑ release), Mitshubishi Electric Corporation (Press (১৪ জুন ২০২৩)। "World's first wideband operation of 4G, 5G and beyond 5G/6G systems with single GaN power amplifier achieved"। PCIM News Platform (ইংরেজি ভাষায়)। সংগ্রহের তারিখ ১৩ আগস্ট ২০২৫।
- ↑ "RF CMOS Technology Introduction"। resources.pcb.cadence.com (মার্কিন ইংরেজি ভাষায়)। ২৯ সেপ্টেম্বর ২০২৩। সংগ্রহের তারিখ ১৩ আগস্ট ২০২৫।
