বিষয়বস্তুতে চলুন

অনিয়তাকার কঠিন পদার্থ

উইকিপিডিয়া, মুক্ত বিশ্বকোষ থেকে

ঘনপদার্থবিজ্ঞান এবং পদার্থ-এর ভাষায়, অনিয়তাকার কঠিন (বা অস্ফটিক কঠিন) হলো এমন ধরনের কঠিন, যার মধ্যে দীর্ঘ-পরিসরের বিন্যাস থাকে না, যেমনটা স্ফটিকের বৈশিষ্ট্যতে দেখা যায়। "কাচ" এবং "কাচজাত কঠিন" শব্দগুলো কখনও কখনও অনিয়তাকার কঠিনের প্রতিশব্দ হিসেবে ব্যবহৃত হয়। তবে এই শব্দগুলো বিশেষভাবে সেই অনিয়তাকার পদার্থের ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয়, যা কাচীভূতকরণ এর মধ্য দিয়ে যায়।[১] অনিয়তাকার কঠিন পদার্থের উদাহরণগুলির মধ্যে রয়েছে কাচ, ধাতব কাচ এবং নির্দিষ্ট ধরণের প্লাস্টিক ও পলিমার।[২][৩]

শব্দের উৎপত্তি

[সম্পাদনা]

"Amorphous" শব্দটি গ্রিক a ("বিহীন") এবং morphé ("আকৃতি, রূপ") থেকে এসেছে।

গঠন

[সম্পাদনা]
স্ফটিকযুক্ত এবং অনিয়তাকার কঠিন পদার্থ পদার্থের পার্থক্য

অনিয়তাকার পদার্থের আণবিক-স্তরের কাঠামোগত ব্লক এর একটি অভ্যন্তরীণ কাঠামো থাকে, যা একই যৌগের স্ফটিক পর্যায়ের মৌলিক গঠনমূলক এককের অনুরূপ হতে পারে।[৪] তবে, স্ফটিক পদার্থের মতো এদের দীর্ঘ-পরিসরের ধারাবাহিকতা থাকে না, এবং এগুলোর গঠন একটি নির্দিষ্ট একক সসীম কোষের পুনরাবৃত্তির মাধ্যমে বর্ণনা করা সম্ভব নয়। অনিয়তাকার কঠিনের গঠন বোঝার জন্য পরিসংখ্যানিক মানদণ্ড, যেমন পরমাণু ঘনত্ব ফাংশন এবং ত্রিজাতিক বন্টন ফাংশন, বেশি কার্যকর।[১][৩]

কাচ অনিয়তাকার কঠিন পদার্থ পদার্থের সাধারণ একটি উদাহরণ

যদিও অনিয়তাকার পদার্থের দীর্ঘ-পরিসরের বিন্যাস নেই, তবে এরা ক্ষুদ্র পরিসরে কিছু নির্দিষ্ট বিন্যাস দেখায়।[১] প্রচলিত নিয়ম অনুসারে, স্বল্প পরিসরের বিন্যাস কেবলমাত্র প্রতিবেশী পরমাণু স্তর পর্যন্ত প্রসারিত হয়, যা সাধারণত ১-২টি পরমাণু দূরত্ব পর্যন্ত বিস্তৃত হয়।[৫]মাঝারি পরিসরের বিন্যাস স্বল্প পরিসরের বিন্যাস কে ছাড়িয়ে ১-২ ন্যানো মিটার পর্যন্ত পৌঁছতে পারে।[৫]

অনিয়তাকার কঠিনের মৌলিক বৈশিষ্ট্য

[সম্পাদনা]

উচ্চ তাপমাত্রায় কাচ রূপান্তর

[সম্পাদনা]

তরল থেকে অনিয়তাকার কঠিনে পরিবর্তন - কাচ রূপান্তর - পদার্থবিজ্ঞানের অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ এবং অমীমাংসিত সমস্যাগুলির মধ্যে একটি হিসাবে বিবেচিত হয়।

অনিয়তাকার কঠিনের সার্বজনীন নিম্ন-তাপমাত্রার বৈশিষ্ট্য

[সম্পাদনা]

অত্যন্ত নিম্ন তাপমাত্রায় (১-১০ কেলভিনের নিচে), অনিয়তাকার কঠিনের একটি বৃহৎ পরিবারের বিভিন্ন ধরণের নিম্ন-তাপমাত্রার বৈশিষ্ট্য রয়েছে। যদিও বিভিন্ন তাত্ত্বিক মডেল রয়েছে, তবে এখন পর্যন্ত মৌলিক পদার্থ স্তরে কাচের রূপান্তর বা কাঁচের মতো কঠিন পদার্থের নিম্ন-তাপমাত্রার বৈশিষ্ট্যসমূহ ভালভাবে বোঝা যায়নি।

অনিয়তাকার কঠিন হল ঘনপদার্থবিজ্ঞান-এর এমন একটি গুরুত্বপূর্ণ শাখা যার লক্ষ্য হল কাচের রূপান্তর-এর উচ্চ তাপমাত্রার আচরণ এবং পরম শূন্য-এর দিকে নিম্ন তাপমাত্রায় পদার্থগুলিকে বোঝা। ১৯৭০-এর দশক থেকে, অনিয়তাকার কঠিনের নিম্ন-তাপমাত্রার বৈশিষ্ট্যগুলি পরীক্ষামূলকভাবে বৃহৎ আকারে অধ্যয়ন করা হয়েছিল।[৬][৭] এই সমস্ত পদার্থের ক্ষেত্রে, নির্দিষ্ট তাপ ক্ষমতা প্রায় সরলরেখায় তাপমাত্রার উপর নির্ভরশীল এবং তাপ পরিবাহিতা প্রায় দ্বিঘাত তাপমাত্রার নির্ভরতা রয়েছে। এই বৈশিষ্ট্যগুলোকে প্রচলিতভাবে অস্বাভাবিক বলা হয়, কারণ সেগুলি স্ফটিক-কঠিনের বৈশিষ্ট্য থেকে খুব আলাদা।

পর্যবেক্ষণমূলক স্তরে, এই বৈশিষ্ট্যগুলোর অনেকটাই দুই-স্তরবিশিষ্ট টানেলিং সিস্টেমের গুচ্ছের মাধ্যমে বর্ণনা করা হয়েছে।[৮][৯] তবে, দীর্ঘ ৫০ বছরের গবেষণার পরও এই বৈশিষ্ট্যগুলির মাইক্রোস্কোপিক তত্ত্ব এখনো পাওয়া যায় নি।[১০]

উল্লেখযোগ্যভাবে, এই পদার্থগুলোর অভ্যন্তরীণ ঘর্ষণের মাত্রাবিহীন পরিমাণ প্রায় সার্বজনীন।[১১] এই পরিমাণটি মূলত একটি নির্দিষ্ট সংখ্যাসূচক ধ্রুবক পর্যন্ত ফোনন-এর তরঙ্গ দৈর্ঘ্য ও তার গড় মুক্ত পথ-এর মাত্রাবিহীন অনুপাত। যেহেতু দুই-স্তরের অবস্থা (টিএলএস) টানেলিং তত্ত্ব টিএলএসএস-এর ঘনত্বের উৎস ব্যাখ্যা করে না, তাই এই তত্ত্ব অভ্যন্তরীণ ঘর্ষণের সার্বজনীনতা ব্যাখ্যা করতে সক্ষম নয়, যা মূলত বিক্ষিপ্ত টিএলএস-এর ঘনত্বের সমানুপাতিক। অ্যান্থনি লেগেট এই গুরুত্বপূর্ণ এবং অমীমাংসিত সমস্যার তাত্ত্বিক তাৎপর্য তুলে ধরেছিলেন।[১২]

ন্যানো-গঠিত উপকরণ

[সম্পাদনা]

অনিয়তাকার পদার্থগুলোর মধ্যে কিছু পরিমাণ স্বল্প-পরিসরের আদেশ বা গঠন বিদ্যমান থাকে, যা মূলত পরমাণুগুলোর আন্তঃআণবিকরাসায়নিক বন্ধন- এর প্রকৃতির কারণে গঠিত হয়।[ক] অত্যন্ত ক্ষুদ্র স্ফটিক-এর ক্ষেত্রে, স্বল্প-পরিসরের গঠন পরমাণুর অপেক্ষাকৃত বড় অংশজুড়ে বিস্তৃত থাকে; তবে, স্ফটিকের পৃষ্ঠের শিথিলতা এবং আন্তঃমুখী প্রভাব পরমাণুর অবস্থানকে বিকৃত করে এবং কাঠামোগত শৃঙ্খলাকে হ্রাস করে। এমনকি সবচেয়ে উন্নত কাঠামোগত বিশ্লেষণ কৌশল, যেমন এক্স-রে ডিফ্র্যাকশন ও ট্রান্সমিশন ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপি, প্রায়শই ছোট পরিসরে অনিয়তাকার এবং স্ফটিকময় কাঠামোর মধ্যে পার্থক্য নির্ধারণে অসুবিধায় পরতে পারে।[১৩]

অনিয়তাকার কঠিনের বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ

[সম্পাদনা]

দীর্ঘ-পরিসরের গঠনের অনুপস্থিতির কারণে, প্রচলিত স্ফটিক কাঠামো নির্ধারণের কৌশলগুলি প্রায়শই অনিয়তাকার কঠিনের কাঠামো নির্ধারণের ক্ষেত্রে অপর্যাপ্ত হয়ে।[১৪] এই ধরনের পদার্থের কাঠামো বিশ্লেষণের জন্য বিভিন্ন ধরণের ইলেকট্রন, এক্স-রে, এবং গণনাভিত্তিক কৌশল ব্যবহৃত হয়। অনিয়তাকার পদার্থগুলোর ক্ষেত্রে একাধিক বিশ্লেষণ পদ্ধতি ব্যবহার করা বেশ প্রচলিত।

এক্স-রে ও নিউট্রন বিক্ষেপণ

[সম্পাদনা]

স্ফটিক পদার্থগুলোর মতো শক্তিশালী ব্র্যাগ বিক্ষেপণ প্রদর্শনের পরিবর্তে, অনিয়তাকার পদার্থগুলোর বিক্ষেপণ প্যাটার্ন বিস্তৃত ও বিচ্ছুরিত শিখর দ্বারা চিহ্নিত হয়।[১৫] ফলে, অনিয়তাকার উপকরণগুলোর বিক্ষেপণ প্যাটার্ন থেকে বাস্তব স্থানের কাঠামোগত তথ্য বের করতে বিস্তারিত বিশ্লেষণ ও পরিপূরক প্রযুক্তির প্রয়োজন হয়। এক্স-রে ও নিউট্রন উভয় উৎস থেকেই তথ্য সংগ্রহ করা উপকারী, কারণ তাদের বিক্ষেপণ বৈশিষ্ট্য ভিন্ন এবং একে অপরকে পরিপূরক তথ্য প্রদান করে।[১৬] পেয়ার ডিস্ট্রিবিউশন ফাংশন বিশ্লেষণের মাধ্যমে, নির্দিষ্ট দূরত্বে দুটি পরমাণুর উপস্থিতির সম্ভাবনা নির্ধারণ করা যায়।[১৫] এছাড়া, অনিয়তাকার উপকরণগুলোর বিক্ষেপণ তথ্য ব্যবহার করে রেডিয়াল ডিস্ট্রিবিউশন ফাংশন বিশ্লেষণও করা হয়, যা একটি নির্দিষ্ট পরমাণুর চারপাশে বিভিন্ন রশ্মিগত দূরত্বে অবস্থিত পরমাণুর সংখ্যা নির্ধারণ করে।[১৭] এই প্রযুক্তিগুলোর মাধ্যমে, অনিয়তাকার পদার্থের স্থানীয় গঠনের অন্তর্দৃষ্টি লাভ করা যায়।

এক্স-রে শোষণ সূক্ষ্ম-কাঠামো বর্ণালী বিশ্লেষণ

[সম্পাদনা]

এক্স-রে শোষণ সূক্ষ্ম-কাঠামো বিশ্লেষণহল একটি পারমাণবিক-স্কেলের পর্যবেক্ষণ প্রযুক্তি, যা দীর্ঘ-পরিসরের গঠনবিহীন উপকরণ অধ্যয়নের জন্য অত্যন্ত কার্যকর। এই পদ্ধতিতে প্রাপ্ত বর্ণালীগুলি জারণ অবস্থা, কোঅর্ডিনেশন নাম্বার (সমন্বয় সংখ্যা), এবং প্রশ্নবিদ্ধ পরমাণুর চারপাশের পরমাণুদের পরিচিতি ও তাদের পারস্পরিক দূরত্ব সম্পর্কে তথ্য প্রদান করে।[১৮]

পরমাণু ইলেকট্রন টমোগ্রাফি

[সম্পাদনা]

পরমাণু-স্তরের ইলেকট্রন টমোগ্রাফি কৌশলটি সাব-অ্যাংস্ট্রোম রেজোলিউশনে পৌঁছাতে সক্ষম একটি ট্রান্সমিশন ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপে পরিচালিত হয়॥ এতে বিভিন্ন কৌণিক ঝোঁক থেকে বহু দ্বি-মাত্রিক চিত্র সংগৃহীত হয় এবং এগুলো ব্যবহার করে একটি ত্রিমাত্রিক কাঠামো পুনর্গঠন করা হয়।[১৯] চিত্র সংগ্রহের পর, ড্রিফট, শব্দ এবং স্ক্যান বিকৃতির মতো সমস্যাগুলি সংশোধন করার জন্য উল্লেখযোগ্য পরিমাণ প্রক্রিয়াকরণ করা হয়।[১৯] উচ্চ-মানের বিশ্লেষণ ও প্রসেসিংয়ের মাধ্যমে, পরমাণু-ইলেকট্রন টমোগ্রাফির সাহায্যে অনিয়তাকার পদার্থের ত্রিমাত্রিক পুনর্গঠন সম্ভব হয়, যেখানে উপস্থিত বিভিন্ন পরমাণু প্রজাতির অবস্থান বিশদ বিবরণ দেয়।

ফ্লাকচুয়েশন ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপি

[সম্পাদনা]

ফ্লাকচুয়েশন ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপি হল আরেকটি ট্রান্সমিশন ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপি ভিত্তিক প্রযুক্তি, যা অনিয়তাকার পদার্থগুলোর মধ্যম-পরিসরের গঠনের প্রতি সংবেদনশীল। বিভিন্ন ধরনের মধ্যম-পরিসরের গঠনের কারণে সৃষ্ট কাঠামোগত ওঠানামা এই পদ্ধতিতে সনাক্ত করা যায়।[২০] ফ্লাকচুয়েশন ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপি পরীক্ষাগুলো প্রচলিত পদ্ধতি অথবা স্ক্যানিং ট্রান্সমিশন ইলেকট্রন মাইক্রোস্কোপ মোডে সম্পাদন করা যায়।[২০]

গণনামূলক প্রযুক্তি

[সম্পাদনা]

অনিয়তাকার পদার্থের কাঠামো বিশ্লেষণের জন্য পরীক্ষামূলক পদ্ধতির সাথে একত্রিত করে সিমুলেশন এবং মডেলিং প্রযুক্তি ব্যবহৃত হয়। সাধারণত ব্যবহৃত গণনামূলক প্রযুক্তিগুলোর মধ্যে রয়েছে ঘনত্ব কার্যকরী তত্ত্ব, আণবিক গতিবিদ্যা, এবং রিভার্স মন্টে কার্লো পদ্ধতি।[১৪]

ব্যবহার ও পর্যবেক্ষণ

[সম্পাদনা]

অনিয়তাকার পাতলা চলচ্চিত্র

[সম্পাদনা]

অনিয়তাকার পর্যায়গুলো থিন ফিল্ম- এর গুরুত্বপূর্ণ অংশ। পাতলা ফিল্ম হলো কঠিন পদার্থের এমন স্তর, যার পুরুত্ব কয়েক ন্যানোমিটার থেকে কয়েক মাইক্রোমিটার পর্যন্ত হতে পারে এবং এগুলো একটি সাবস্ট্রেটের উপর জমা করা হয়। তথাকথিত কাঠাম গত জোন মডেলগুলি তৈরি করা হয়েছিল পাতলা ফিল্মের মাইক্রোস্ট্রাকচারকে সমগোত্রীয় তাপমাত্রা (Th) এর একটি ফাংশন হিসাবে, যা জমা তাপমাত্রা ও গলে যাওয়া তাপমাত্রার অনুপাতের।[২১][২২] এই মডেল অনুযায়ী, অনিয়তাকার পর্যায়ের গঠনের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ শর্ত হলো Th অবশ্যই ০.৩ এর কম হতে হবে। অর্থাৎ, জমা তাপমাত্রা অবশ্যই গলনাংকের ৩০% এর নিচে থাকতে হবে।[খ]

অতিপরিবাহিতা

[সম্পাদনা]
অনিয়তাকার ধাতুগুলোর কঠোরতা কম হলেও, শক্তি বেশি

অনিয়তাকার ধাতব স্তরগুলি অতিপরিবাহিতা আবিষ্কারের ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যা বাকেল এবং হিলশ দ্বারা তৈরি অনিয়তাকার ধাতুতে প্রথম পর্যবেক্ষণ করা হয়।[২৩][২৪] অনিয়তাকার ধাতুগুলোর অতিপরিবাহিতা, বিশেষ করে পাতলা ধাতব ফিল্মগুলোর, ফোনন-নিয়ন্ত্রিত কুপার পেয়ার-এর মাধ্যমে ঘটে বলে এখন বোঝা যায়। কাঠামোগত বিশৃঙ্খলার ভূমিকা শক্তিশালী-সংযোজিত এলিয়াশবার্গ অতিপরিবাহিতা তত্ত্ব অনুযায়ী যুক্তিসঙ্গতভাবে ব্যাখ্যা করা যায়।[২৫]

তাপ সুরক্ষা

[সম্পাদনা]

অনিয়তাকার কঠিন পদার্থগুলি সাধারণত স্ফটিক পদার্থের তুলনায় তাপ বাহকদের উচ্চ স্থানীয়করণ প্রদর্শন করে, যার ফলে তাপ পরিবাহিতা কম হয়।[২৬] তাপ সুরক্ষার সামগ্রী, যেমন তাপ প্রতিবন্ধক আবরণ এবং নিরোধক, সাধারণত অত্যন্ত নিম্ন তাপ পরিবাহিতার পদার্থের উপর নির্ভর করে।

প্রযুক্তিগত ব্যবহার

[সম্পাদনা]

আজকাল, অপটিক্যাল আবরণ তৈরির ক্ষেত্রে TiO2, SiO2, Ta2O5 ইত্যাদির অনিয়তাকার পর্যায় ব্যবহৃত হয়। গ্যাস পৃথকীকরণের জন্য পাতলা অনিয়তাকার ফিল্ম-ত্রর ব্যবহার নিয়ে প্রচুর গবেষণা চলছে।[২৭] প্রযুক্তিগতভাবে সর্বাধিক গুরুত্বপূর্ণ পাতলা অনিয়তাকার ফিল্মটি সম্ভবত মেটাল-অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (মসফেট) এর পরিবাহী চ্যানেলের উপরে থাকা কয়েক ন্যানোমিটার পুরু SiO2 স্তরে আইসোলেটর বা বিচ্ছিন্নকারী হিসাবে কাজ করে॥ এছাড়াও, হাইড্রোজেনযুক্ত অনিয়তাকার সিলিকন (Si:H) পাতলা ফিল্ম সৌর কোষের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।[গ][২৮]

ফার্মাসিউটিক্যাল ব্যবহারের ক্ষেত্রে

[সম্পাদনা]

ফার্মাসিউটিক্যাল শিল্পে, কিছু অনিয়তাকার ওষুধের জৈবউপলব্ধতা তাদের স্ফটিক সংস্করণের তুলনায় বেশি দেখা গেছে, যা মূলত অনিয়তাকার অবস্থার উচ্চ দ্রবণীয়তার কারণে ঘটে। তবে, নির্দিষ্ট কিছু যৌগ অবক্ষেপণ প্রক্রিয়ার মাধ্যমে তাদের অনিয়তাকার অবস্থায় ইন ভিভো সুপারস্যাচুরেশন অবস্থায় পরিবর্তিত হতে পারে, যা পারস্পরিক জৈবউপলব্ধতা কমাতে পারে যদি একসাথে প্রয়োগ করা হয়।[২৯][৩০] GDC-0810 ASDs নিয়ে করা গবেষণাগুলোতে দেখা গেছে যে, এর ক্ষুদ্র-কাঠামো, ভৌত বৈশিষ্ট্য এবং দ্রবণ প্রক্রিয়ার মধ্যে শক্তিশালী আন্তঃসম্পর্ক বিদ্যমান।[৩১]

মাটিতে অনিয়তাকার পদার্থের ভূমিকা

[সম্পাদনা]

মাটির মধ্যে থাকা অনিয়তাকার পদার্থ আয়তন ঘনত্ব, সংঘটন স্থায়িত্ব, প্লাস্টিসিটি এবং জলধারণ ক্ষমতাকে শক্তিশালীভাবে প্রভাবিত করে। এর নিম্ন বাল্ক ঘনত্ব এবং উচ্চ ফাঁকা অনুপাত মূলত কাচের কণা এবং অন্যান্য ছিদ্রযুক্ত খনিজ উপাদানগুলির সংকুচিত না হওয়ার কারণে ঘটে। অ্যান্ডিসল মাটিতে সর্বাধিক পরিমাণে অনিয়তাকার পদার্থ থাকে।[৩২]

অনিয়তাকার পর্যায়

[সম্পাদনা]

অনিয়তাকার পর্যায়গুলি পাতলা-ফিল্ম বৃদ্ধির অধ্যয়নের জন্য বিশেষ আগ্রহের একটি ঘটনা ছিল।[৩৩] বহুস্ফটিক স্তর বৃদ্ধির পূর্বে একটি অনিয়তাকার স্তর ব্যবহৃত হয়, যার পুরুত্ব সাধারণত কয়েক ন্যানোমিটার মাত্র হয়। এর সবচেয়ে বেশি অধ্যয়নকৃত উদাহরণ হলো পাতলা বহুস্ফটিক সিলিকন স্তরগুলির অভিমুখী নয় এমন অণুর বিন্যাস।[ঘ][৩৪]

ওয়েজ-আকৃতির ট্রান্সমিশন ইলেকট্রন মাইক্রোস্কপি পর্যবেক্ষণে দেখা যায় যে, অনিয়তাকার স্তরের নির্দিষ্ট এক পুরুত্ব অতিক্রম করার পরই বহুস্ফটিক স্তর বৃদ্ধি পেতে শুরু করে। এই পুরুত্ব নির্ধারিত হয় আবরণ স্থাপনের তাপমাত্রা, পটভূমি চাপ এবং অন্যান্য প্রক্রিয়াগত পরামিতি দ্বারা। এই ঘটনাটি অস্টওয়াল্ডের পর্যায় পরিবর্তনের নিয়মের মাধ্যমে ব্যাখ্যা করা হয়,[৩৫] যা পর্যায়গুলির গঠনের সেই সময়ের পূর্বাভাস দেয় যখন ঘনীভবন সময় বৃদ্ধির করলে ক্রমবর্ধমান স্থিতিশীলতার দিকে এগিয়ে যাবে।[২৪][৩৪][ঙ]

পাদটীকা

[সম্পাদনা]
  1. ↑ অ-স্ফটিকীয় পদার্থের গঠনের বিষয়ে আরও জানতে তরল এবং গ্লাসের গঠন দেখুন।
  2. ↑ উচ্চতর মানের ক্ষেত্রে, জমাকৃত পরমাণুগুলোর পৃষ্ঠীয় পরিবাহিতা বৃদ্ধি পাবে, যা দীর্ঘ-পরিসরের পরমাণু বিন্যাসযুক্ত স্ফটিক গঠনের সম্ভাবনা বাড়াবে।
  3. ↑ হাইড্রোজেনযুক্ত অনিয়তাকার সিলিকনের ক্ষেত্রে, সিলিকন পরমাণুগুলোর দীর্ঘ-পরিসরের অর্ডারের অভাব আংশিকভাবে হাইড্রোজেনের উপস্থিতির কারণে হয়।
  4. ↑ অনেক গবেষণায় দেখা গেছে যে, পাতলা বহুস্ফটিক সিলিকন স্তরগুলির বৃদ্ধির সময় একটি প্রাথমিক অনিয়তাকার স্তর গঠিত হয়।
  5. ↑ এই পরীক্ষামূলক গবেষণা সম্পাদনের জন্য পাতলা স্তরের সংযোজনকৃত পৃষ্ঠের অবস্থা—যেমন এর দূষণ ঘনত্ব ইত্যাদি—নির্দিষ্টভাবে সংজ্ঞায়িত হওয়া প্রয়োজন।

তথ্যসূত্র

[সম্পাদনা]
  1. 1 2 3 Thorpe., M.F.; Tichy, L. (২০০১)। Properties and Applications of Amorphous Materials (1st সংস্করণ)। Springer Dordrecht। পৃ. ১–১১। আইএসবিএন ৯৭৮-০-৭৯২৩-৬৮১১-৩।
  2. ↑ Ponçot, M.; Addiego, F.; Dahoun, A. (১ জানুয়ারি ২০১৩)। "True intrinsic mechanical behaviour of semi-crystalline and amorphous polymers: Influences of volume deformation and cavities shape"। International Journal of Plasticity (ইংরেজি ভাষায়)। ৪০: ১২৬–১৩৯। ডিওআই:10.1016/j.ijplas.2012.07.007। আইএসএসএন 0749-6419।
  3. 1 2 Zaccone, A. (২০২৩)। Theory of Disordered Solids। Lecture Notes in Physics। খণ্ড ১০১৫ (1st সংস্করণ)। Springer। ডিওআই:10.1007/978-3-031-24706-4। আইএসবিএন ৯৭৮-৩-০৩১-২৪৭০৫-৭। এস২সিআইডি 259299183।
  4. ↑ Mavračić, Juraj; Mocanu, Felix C.; Deringer, Volker L.; Csányi, Gábor; Elliott, Stephen R. (২০১৮)। "Similarity Between Amorphous and Crystalline Phases: The Case of TiO2"। J. Phys. Chem. Lett.। ৯ (11): ২৯৮৫–২৯৯০। ডিওআই:10.1021/acs.jpclett.8b01067। পিএমআইডি 29763315।
  5. 1 2 Cheng, Y. Q.; Ma, E. (১ মে ২০১১)। "Atomic-level structure and structure–property relationship in metallic glasses"। Progress in Materials Science (ইংরেজি ভাষায়)। ৫৬ (4): ৩৭৯–৪৭৩। ডিওআই:10.1016/j.pmatsci.2010.12.002। আইএসএসএন 0079-6425।
  6. ↑ Stephens, Robert B.; Liu, Xiao (২০২১)। Low-Energy Excitations in Disordered Solids. A Story of the 'Universal' Phenomena of Structural Tunneling। ডিওআই:10.1142/11746। আইএসবিএন ৯৭৮-৯৮১-১২-১৭২৪-১। এস২সিআইডি 224844997।
  7. ↑ Grushin, Adolfo G. (২০২২)। Ramos, M. (সম্পাদক)। Low-Temperature Thermal and Vibrational Properties of Disordered Solids. A Half-Century of Universal "Anomalies" of Glasses। আরজাইভ:2010.02851। ডিওআই:10.1142/q0371। আইএসবিএন ৯৭৮-১-৮০০৬১-২৫৭-০। এস২সিআইডি 222140882।
  8. ↑ Anderson, P.W.; Halperin, B.I.; Varma, C.M (১৯৭২)। "Anomalous low-temperature thermal properties of glasses and spin glasses"। Philosophical Magazine। ২৫ (1): ১–৯। বিবকোড:1972PMag...25....1A। ডিওআই:10.1080/14786437208229210।
  9. ↑ Phillips, W.A. (১৯৭২)। "Tunneling states in অনিয়তাকার solids"। J. Low Temp. Phys., Pp 751। ৭ (3–4): ৩৫১–৩৬০। বিবকোড:1972JLTP....7..351P। ডিওআই:10.1007/BF00660072। এস২সিআইডি 119873202।
  10. ↑ Esquinazi, Pablo, সম্পাদক (১৯৯৮)। Tunneling Systems in অনিয়তাকার and Crystalline Solids। ডিওআই:10.1007/978-3-662-03695-2। আইএসবিএন ৯৭৮-৩-৬৪২-০৮৩৭১-৬।
  11. ↑ Pohl, R.O.; etc, etc (২০০২)। "Low-temperature thermal conductivity and acoustic attenuation in অনিয়তাকার solids"। Revs. Mod Phys.। ৭৪ (1): ৯৯১। বিবকোড:1972PMag...25....1A। ডিওআই:10.1080/14786437208229210।
  12. ↑ Leggett, A.J. (১৯৯১)। "অনিয়তাকার materials at low temperatures: why are they so similar?"। Physica B। ১৬৯ (1–4): ৩২২–৩২৭। বিবকোড:1991PhyB..169..322L। ডিওআই:10.1016/0921-4526(91)90246-B।
  13. ↑ Goldstein, Joseph I.; Newbury, Dale E.; Michael, Joseph R.; Ritchie, Nicholas W. M.; Scott, John Henry J.; Joy, David C. (২০১৮)। Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis (Fourth সংস্করণ)। New York, NY। আইএসবিএন ৯৭৮-১৪৯৩৯৬৬৭৪৫।{{বই উদ্ধৃতি}}: উদ্ধৃতি শৈলী রক্ষণাবেক্ষণ: অবস্থানে প্রকাশক অনুপস্থিত (লিঙ্ক)
  14. 1 2 Yang, Yao; Zhou, Jihan; Zhu, Fan; Yuan, Yakun; Chang, Dillan J.; Kim, Dennis S.; Pham, Minh; Rana, Arjun; Tian, Xuezeng; Yao, Yonggang; Osher, Stanley J.; Schmid, Andreas K.; Hu, Liangbing; Ercius, Peter; Miao, Jianwei (৩১ মার্চ ২০২১)। "Determining the three-dimensional atomic structure of an অনিয়তাকার solid"। Nature (ইংরেজি ভাষায়)। ৫৯২ (7852): ৬০–৬৪। আরজাইভ:2004.02266। বিবকোড:2021Natur.592...60Y। ডিওআই:10.1038/s41586-021-03354-0। আইএসএসএন 1476-4687। পিএমআইডি 33790443। এস২সিআইডি 214802235।
  15. 1 2 Billinge, Simon J. L. (১৭ জুন ২০১৯)। "The rise of the X-ray atomic pair distribution function method: a series of fortunate events"। Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences। ৩৭৭ (2147): ২০১৮০৪১৩। বিবকোড:2019RSPTA.37780413B। ডিওআই:10.1098/rsta.2018.0413। পিএমসি 6501893। পিএমআইডি 31030657।
  16. ↑ Ren, Yang; Zuo, Xiaobing (১৩ জুন ২০১৮)। "Synchrotron X-Ray and Neutron Diffraction, Total Scattering, and Small-Angle Scattering Techniques for Rechargeable Battery Research"। Small Methods। ২ (8): ১৮০০০৬৪। ডিওআই:10.1002/smtd.201800064। আইএসএসএন 2366-9608। ওএসটিআই 1558997। এস২সিআইডি 139693137।
  17. ↑ Senjaya, Deriyan; Supardi, Adri; Zaidan, Andi (৯ ডিসেম্বর ২০২০)। "Theoretical formulation of অনিয়তাকার radial distribution function based on wavelet transformation"। AIP Conference Proceedings। ২৩১৪ (1): ০২০০০১। বিবকোড:2020AIPC.2314b0001S। ডিওআই:10.1063/5.0034410। আইএসএসএন 0094-243X। এস২সিআইডি 234542087।
  18. ↑ Newville, Matthew (২২ জুলাই ২০০৪)। "Fundamentals of XAFS" (পিডিএফ)।
  19. 1 2 Zhou, Jihan; Yang, Yongsoo; Ercius, Peter; Miao, Jianwei (৯ এপ্রিল ২০২০)। "Atomic electron tomography in three and four dimensions"। MRS Bulletin (ইংরেজি ভাষায়)। ৪৫ (4): ২৯০–২৯৭। বিবকোড:2020MRSBu..45..290Z। ডিওআই:10.1557/mrs.2020.88। আইএসএসএন 0883-7694। এস২সিআইডি 216408488।
  20. 1 2 Voyles, Paul; Hwang, Jinwoo (১২ অক্টোবর ২০১২), Kaufmann, Elton N. (সম্পাদক), "Fluctuation Electron Microscopy", Characterization of Materials (ইংরেজি ভাষায়), Hoboken, NJ, USA: John Wiley & Sons, Inc., পৃ. com১৩৮, ডিওআই:10.1002/0471266965.com138, আইএসবিএন ৯৭৮-০-৪৭১-২৬৬৯৬-৯, সংগ্রহের তারিখ ৭ ডিসেম্বর ২০২২
  21. ↑ Movchan, B. A.; Demchishin, A. V. (১৯৬৯)। "Study of the Structure and Properties of Thick Vacuum Condensates of Nickel, Titanium, Tungsten, Aluminium Oxide and Zirconium Dioxide"। Phys. Met. Metallogr.। ২৮: ৮৩–৯০।
  22. ↑ Thornton, John A. (১৯৭৪), "Influence of Apparatus Geometry and Deposition Conditions on the Structure and Topography of Thick Sputtered Coatings", Journal of Vacuum Science and Technology, ১১ (4): ৬৬৬–৬৭০, বিবকোড:1974JVST...11..666T, ডিওআই:10.1116/1.1312732
  23. ↑ Buckel, W.; Hilsch, R. (১৯৫৬)। "Supraleitung und elektrischer Widerstand neuartiger Zinn-Wismut-Legierungen"। Z. Phys.। ১৪৬ (1): ২৭–৩৮। বিবকোড:1956ZPhy..146...27B। ডিওআই:10.1007/BF01326000। এস২সিআইডি 119405703।
  24. 1 2 Buckel, W. (১৯৬১)। "The influence of crystal bonds on film growth"। Elektrische en Magnetische Eigenschappen van dunne Metallaagies। Leuven, Belgium।
  25. ↑ Baggioli, Matteo; Setty, Chandan; Zaccone, Alessio (২০২০)। "Effective Theory of Superconductivity in Strongly Coupled Amorphous Materials"। Physical Review B। ১০১ (21): ২১৪৫০২। আরজাইভ:2001.00404। বিবকোড:2020PhRvB.101u4502B। ডিওআই:10.1103/PhysRevB.101.214502। এইচডিএল:10486/703598। এস২সিআইডি 209531947।
  26. ↑ Zhou, Wu-Xing; Cheng, Yuan; Chen, Ke-Qiu; Xie, Guofeng; Wang, Tian; Zhang, Gang (৯ সেপ্টেম্বর ২০১৯)। "Thermal Conductivity of Amorphous Materials"। Advanced Functional Materials (ইংরেজি ভাষায়)। ৩০ (8): ১৯০৩৮২৯। ডিওআই:10.1002/adfm.201903829। আইএসএসএন 1616-301X। এস২সিআইডি 203143442।
  27. ↑ de Vos, Renate M.; Verweij, Henk (১৯৯৮)। "High-Selectivity, High-Flux Silica Membranes for Gas Separation"। Science। ২৭৯ (5357): ১৭১০–১৭১১। বিবকোড:1998Sci...279.1710D। ডিওআই:10.1126/science.279.5357.1710। পিএমআইডি 9497287।
  28. ↑ "Hydrogenated Amorphous Silicon - an overview | ScienceDirect Topics"। www.sciencedirect.com। সংগ্রহের তারিখ ১৭ অক্টোবর ২০২৩।
  29. ↑ Hsieh, Yi-Ling; Ilevbare, Grace A.; Van Eerdenbrugh, Bernard; Box, Karl J.; Sanchez-Felix, Manuel Vincente; Taylor, Lynne S. (১২ মে ২০১২)। "pH-Induced Precipitation Behavior of Weakly Basic Compounds: Determination of Extent and Duration of Supersaturation Using Potentiometric Titration and Correlation to Solid State Properties"। Pharmaceutical Research (ইংরেজি ভাষায়)। ২৯ (10): ২৭৩৮–২৭৫৩। ডিওআই:10.1007/s11095-012-0759-8। আইএসএসএন 0724-8741। পিএমআইডি 22580905। এস২সিআইডি 15502736।
  30. ↑ Dengale, Swapnil Jayant; Grohganz, Holger; Rades, Thomas; Löbmann, Korbinian (মে ২০১৬)। "Recent Advances in Co-amorphous Drug Formulations"। Advanced Drug Delivery Reviews। ১০০: ১১৬–১২৫। ডিওআই:10.1016/j.addr.2015.12.009। আইএসএসএন 0169-409X। পিএমআইডি 26805787।
  31. ↑ Jia, Wei; Yawman, Phillip D.; Pandya, Keyur M.; Sluga, Kellie; Ng, Tania; Kou, Dawen; Nagapudi, Karthik; Luner, Paul E.; Zhu, Aiden; Zhang, Shawn; Hou, Hao Helen (১ ডিসেম্বর ২০২২)। "Assessing the Interrelationship of Microstructure, Properties, Drug Release Performance, and Preparation Process for Amorphous Solid Dispersions Via Noninvasive Imaging Analytics and Material Characterization"। Pharmaceutical Research (ইংরেজি ভাষায়)। ৩৯ (12): ৩১৩৭–৩১৫৪। ডিওআই:10.1007/s11095-022-03308-9। আইএসএসএন 1573-904X।
  32. ↑ Encyclopedia of Soil Science। Marcel Dekker। ২০০২। পৃ. ৯৩–৯৪।
  33. ↑ Magnuson, Martin; Andersson, Matilda; Lu, Jun; Hultman, Lars; Jansson, Ulf (২০১২)। "Electronic Structure and Chemical Bonding of Amorphous Chromium Carbide Thin Films"। J. Phys. Condens. Matter। ২৪ (22): ২২৫০০৪। আরজাইভ:1205.0678। বিবকোড:2012JPCM...24v5004M। ডিওআই:10.1088/0953-8984/24/22/225004। পিএমআইডি 22553115। এস২সিআইডি 13135386।
  34. 1 2 Birkholz, M.; Selle, B.; Fuhs, W.; Christiansen, S.; Strunk, H. P.; Reich, R. (২০০১)। "Amorphous-crystalline phase transition during the growth of thin films: The case of microcrystalline silicon" (পিডিএফ)। Phys. Rev. B। ৬৪ (8): ০৮৫৪০২। বিবকোড:2001PhRvB..64h5402B। ডিওআই:10.1103/PhysRevB.64.085402। ৩১ মার্চ ২০১০ তারিখে মূল থেকে আর্কাইভকৃত (পিডিএফ)।
  35. ↑ Ostwald, Wilhelm (১৮৯৭)। "Studien über die Bildung und Umwandlung fester Körper" (পিডিএফ)। Z. Phys. Chem. (জার্মান ভাষায়)। ২২: ২৮৯–৩৩০। ডিওআই:10.1515/zpch-1897-2233। এস২সিআইডি 100328323। ৮ মার্চ ২০১৭ তারিখে মূল থেকে আর্কাইভকৃত (পিডিএফ)।

আরোও পড়ুন

[সম্পাদনা]
  • R. Zallen (১৯৬৯)। The Physics of Amorphous Solids। Wiley Interscience।
  • S.R. Elliot (১৯৯০)। The Physics of Amorphous Materials (2nd সংস্করণ)। Longman।
  • A. Zaccone (২০২৩)। Theory of Disordered Solids। Springer।
  • N. Cusack (১৯৬৯)। The Physics of Structurally Disordered Matter: An Introduction। IOP Publishing।
  • N.H. March; R.A. Street; M.P. Tosi, সম্পাদকগণ (১৯৬৯)। Amorphous Solids and the Liquid State। Springer।
  • D.A. Adler; B.B. Schwartz; M.C. Steele, সম্পাদকগণ (১৯৬৯)। Physical Properties of Amorphous Materials। Springer।
  • A. Inoue; K. Hasimoto, সম্পাদকগণ (১৯৬৯)। Amorphous and Nanocrystalline Materials। Springer।
'https://bn.wikipedia.org/w/index.php?title=অনিয়তাকার_কঠিন_পদার্থ&oldid=8527060' থেকে আনীত