ডোপায়ন
ডোপায়ন বা ডোপিং হলো অর্ধপরিবাহী উৎপাদনে ইচ্ছাকৃতভাবে একটি অত্যন্ত খাঁটি অর্ধ পরিবাহী'র মধ্যে ভেজাল মিশিয়ে এর বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যাবলী পরিবর্তন করা। ভেজালের পরিমাণ অর্ধপরিবাহীর ধরণের উপর নির্ভর করে।
ডোপায়ন পদ্ধতি [সম্পাদনা]
|
|
এই অনুচ্ছেদ উইকিপিডিয়ার জন্য মানসম্পন্ন অবস্থায় আনতে পরিচ্ছন্ন করা প্রয়োজন। (প্রয়োজনে আরও সুনির্দিষ্ট নির্দেশনা দিন।) সম্ভব হলে অনুগ্রহ করে অনুচ্ছেদ এর মান উন্নয়ন করুন। আলাপ পাতায় এই সংক্রান্ত বিস্তারিত বর্ণনা থাকতে পারে। (জানুয়ারি ২০১২) |
N-টাইপ সেমি-কন্ডাক্টর সংশ্লেষের বাষ্প-পর্যায়ের পরিবর্তন পদ্ধতি ব্যবহার করা হতে পারে। বাষ্প-পর্যায়ের অবস্থার পরিবর্তন, নেতিবাচক ডোপ ধারণকারী একটি গ্যাস পাতলা পাতের উপর দিয়ে প্রবাহিত হতে দেয়া হয়। এন-টাইপ গ্যাস ডোপিং-এর ক্ষেত্রে গ্যালিয়াম আরসেনাইড-এর উপর দিয়ে হাইড্রোজেন সালফাইড প্রবাহিত করা হয় এবং গঠন ভাগ সালফার অন্তর্ভুক্ত হয়।[১] এই প্রক্রিয়াটি সালফার ক্রমাগত পৃষ্ঠের উপর নিবিষ্টতা দ্বারা চিহ্নিত করা যায়।[২] সাধারণভাবে, ডোপ করার জন্য পছন্দসই বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যসম্পন্ন একটি খুব পাতলা স্তর প্রয়োজন হয়।[৩] প্রতিক্রিয়াটির শর্ত হিসেবে সাধারণত গ্রুপ ষষ্ঠ উপাদানের জন্য ৬০০ থেকে ৮০০° সেন্টিগ্রেড এবং সময় সাধারণত তাপমাত্রার উপর নির্ভর করে ৬-১২ ঘন্টার মতো।
তথ্যসূত্র [সম্পাদনা]
- ↑ Schubert, E. F. (2005). Doping in III-V Semiconductors. পৃ: 241–243. আইএসবিএন 0-521-01784-X.
- ↑ Middleman, S. (1993). Process Engineering Analysis in Semiconductor Device Fabrication. পৃ: 29, 330–337. আইএসবিএন 0-07-041853-5.
- ↑ Deen, William M. (1998). Analysis of Transport Phenomena. পৃ: 91–94. আইএসবিএন 978-0-19-508494-8.
- সুনির্দিষ্টভাবে উদ্ধৃত ইংরেজি ভাষার লেখা রয়েছে এমন নিবন্ধ
- জানুয়ারি ২০১২ তারিখ থেকে নিবন্ধসমূহের পরিষ্করণ প্রয়োজন
- Articles with invalid date parameter in template
- জানুয়ারি ২০১২ তারিখ থেকে সমস্ত নিবন্ধসমূহের পরিষ্করণ প্রয়োজন
- জানুয়ারি ২০১২ তারিখ থেকে Cleanup tagged articles without a reason field
- পদার্থবিদ্যা